-

東芝:スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代シリコンカーバイド(SiC) MOSFET発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、産業用機器向けに、スイッチング損失を低減する4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージに当社最新[注1]第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を発売しました。10品種(650V耐圧製品5品種、1200V耐圧製品5品種)の出荷を本日から開始します。

新製品は、当社SiC MOSFETで初の4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子のため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することができ、高速スイッチング性能を向上しました。新製品TW045Z120Cの場合、3端子タイプTO-247パッケージの当社既存製品TW045N120Cと比べて、ターンオン損失を約40%、ターンオフ損失を約34%低減[注2]しました。これにより、機器の電力損失の低減に貢献します。

なお、新製品を活用した「SiC MOSFET応用3相インバーター」のリファレンスデザインを開発し、本日当社ウェブサイトに公開しました。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、機器の電力の⾼効率化と大容量化に貢献します。

[注1] 2023年8月現在。
[注2] 2023年8月現在、当社実測値。(測定条件 : VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)

応用機器

  • スイッチング電源 (データセンターなどのサーバー、通信機器など)
  • EV充電スタンド
  • 太陽光発電用インバーター
  • 無停電電源装置 (UPS)

新製品の主な特長

  • 4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用 :
    ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減
  • 第3世代SiC MOSFET
  • ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い
  • 順方向電圧 (ダイオード) が低い : VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

在庫検索

Web少量購入

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ゲート・

ソース間

電圧

VGSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン・

ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

(mΩ)

ゲート

しきい値

電圧

Vth

(V)

ゲート

入力

電荷量

Qg

(nC)

ゲート・

ドレイン間

電荷量

Qgd

(nC)

入力容量

Ciss

(pF)

順方向電圧

(ダイオード)

VDSF

(V)

Tc=25°C

VGS=18V

VDS=10V

VGS=18V

VGS=18V

typ.

測定条件

VDS

(V)

VGS=-5V

typ.

typ.

typ.

typ.

TW015Z120C

TO-247-4L(X)

1200

-10~25

100

15

3.0~5.0

158

23

6000

800

-1.35

Buy Online

TW030Z120C

60

30

82

13

2925

Buy Online

TW045Z120C

40

45

57

8.9

1969

Buy Online

TW060Z120C

36

60

46

7.8

1530

Buy Online

TW140Z120C

20

140

24

4.2

691

Buy Online

TW015Z65C

650

100

15

128

19

4850

400

Buy Online

TW027Z65C

58

27

65

10

2288

Buy Online

TW048Z65C

40

48

41

6.2

1362

Buy Online

TW083Z65C

30

83

28

3.9

873

Buy Online

TW107Z65C

20

107

21

2.3

600

Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C

当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MOSFET

各種アプリケーションへの応用例は下記ページをご覧ください。
サーバー
無停電電源装置
LED照明

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。
TW015Z120C
Buy Online

TW030Z120C
Buy Online

TW045Z120C
Buy Online

TW060Z120C
Buy Online

TW140Z120C
Buy Online

TW015Z65C
Buy Online

TW027Z65C
Buy Online

TW048Z65C
Buy Online

TW083Z65C
Buy Online

TW107Z65C
Buy Online

*社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

東芝:産業用機器の低消費電力化に貢献する4チャネルスタンダードデジタルアイソレーターのラインアップ拡充について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、産業用機器向けに、1チャネルあたり0.2mA[注1] (typ.) の低消費電流を実現し、小型パッケージSSOP16を採用した、中速度領域[注2]の通信対応の4チャネルスタンダードデジタルアイソレーター「DCL34xx0Bシリーズ」に、新たに4製品を追加し、ラインアップを拡充しました。 新製品は、順方向4チャネル・逆方向0チャネルで構成された「DCL340L0B」と「DCL340H0B」、順方向2チャネル・逆方向2チャネルで構成された「DCL342L0B」と「DCL342H0B」の4製品です。 プログラマブルロジックコントローラー(PLC)や、アクチュエーター、インバーターなどの産業用機器では、機器故障や、異常の波及、および素子の高速化に伴って増加するノイズによる誤動作などの防止が重要となっています。そのため、高電圧系と低電圧系の異なる電位の回路間で、安全かつ確実に信号を伝送する電気的絶縁が不可欠であり、ノイズの多い環境でも、安定動作を維持できる高信頼性の絶縁デバイスが求められてい...

東芝:AIデータセンターの高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス採用の80V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、AIデータセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した製品として、当社最新世代プロセス[注1]「U-MOS11-H(ユー・モス・イレブン・エイチ)」を採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を製品化し、本日から出荷を開始します。 AI処理の拡大に伴うデータセンターの電力需要増加や、通信インフラの高度化により、スイッチング電源にはさらなる高効率化と小型化(高電力密度化)、およびEMI[注2]低減が強く求められています。電源の損失はシステム全体の消費電力・発熱・冷却負荷へ直結するため、パワー半導体は、導通損失とスイッチング損失をバランスよく低減することが重要です。さらに、EMI、熱設計、実装性といった複数の課題を考慮した、システム全体の設計最適化への貢献も求められています。 新製品は、素子構造を最適化し、当社従来世代プロセスU-MOSⅩ-Hを採用した80V耐圧の当社既存製品「TPM1R908QM」と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗(...

東芝:最大動作温度125°Cに対応した産業用機器向け4チャネル高速スタンダードデジタルアイソレーター発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、最大動作温度125°Cに対応したSOIC16-Wパッケージの産業用機器向け4チャネル高速スタンダードデジタルアイソレーター「DCL54xx01Aシリーズ」10製品をラインアップに追加しました。本日から量産出荷を開始します。 近年、シリコンカーバイト(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体を用いたパワーデバイスの普及により、産業用機器では高温環境下での動作が一般化しています。一方で、絶縁信号伝送では、入出力間に印加される電気的ノイズによって誤動作が起きるリスクが課題となります。こうした環境下でも、安定した制御信号伝送を実現するため、高い耐ノイズ性と信頼性を両立した絶縁デバイスへの市場要求が高まっています。 新製品は、最大動作温度125°Cに対応しています。さらに、当社独自の磁気結合型絶縁伝送方式[注1]を採用することで、高コモンモード過渡耐性 (CMTI) 150kV/μs (typ.)[注2]を実現し、機器の安定動作に貢献します。 新製品は、順方向4チャネル・逆方向0チ...
Back to Newsroom