Toshiba推出用於工業裝置的第三代SiC MOSFET，採用四引腳封裝，可降低開關損耗
Toshiba推出用於工業裝置的第三代SiC MOSFET，採用四引腳封裝，可降低開關損耗
日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)推出多款用於工業裝置的碳化矽(SiC) MOSFET，稱為“TWxxxZxxxC”系列，採用可降低開關損耗的四引腳TO-247-4L(X)封裝和公司最新的[1] 第三代SiC MOSFET晶片。即日起開始批量出貨10款產品，其中5款產品的額定電壓為650V，另外5款為1200V。
這些新產品是Toshiba首次採用四引腳TO-247-4L(X)封裝的SiC MOSFET系列，支援在閘極驅動信號源端進行凱爾文連接。該封裝可降低封裝內部源線電感的影響，提升高速開關的效能。與Toshiba現有三引腳TO-247封裝產品TW045N120C相比，新TW045Z120C系列的導通損耗降低約40%，關斷損耗降低約34%[2]，從而有助於降低裝置功率損耗。
使用SiC MOSFET的三相逆變器的參考設計已於線上發表。
未來Toshiba將繼續擴大產品陣容，以順應市場趨勢，並為提高裝置效率和擴大功率容量做出貢獻。
注：
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月，Toshiba測量值（測試條件：VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C）
應用
- 開關電源（伺服器、資料中心、通訊裝置等）
- 電動汽車充電站
- 光電逆變器
- 不斷電供應系統(UPS)
特性
-
四引腳TO-247-4L(X)封裝：
透過閘極驅動信號源端的凱爾文連接來降低開關損耗 - 第三代SiC MOSFET
- 低漏源導通電阻 x 柵漏電荷
- 低二極體正向電壓：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)
主要規格
（除非另有說明，否則Ta=25°C） |
||||||||||||
部件型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
樣品檢查 及 供貨情況 |
||||||||
漏源 電壓 VDSS (V) |
柵源 電壓 VGSS (V) |
漏極 電流 (DC) ID (A) |
漏源 導通 電阻 RDS(ON) (mΩ) |
閘極 閾值 電壓 Vth (V) |
總 閘極 電荷 Qg (nC) |
柵漏 電荷 Qgd (nC) |
輸入 電容 Ciss (pF) |
二極體 正向 電壓 VDSF (V) |
||||
Tc=25°C |
VGS=18V |
VDS=10V |
VGS=18V |
VGS=18V |
典型值 |
測試 條件 VDS (V) |
VGS=-5V |
|||||
典型值 |
典型值 |
典型值 |
典型值 |
|||||||||
TO-247-4L(X) |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
800 |
-1.35 |
||
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
||||||||
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
||||||||
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
||||||||
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
||||||||
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
400 |
||||||
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
||||||||
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
||||||||
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
||||||||
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
||||||||
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家首屈一指的先進半導體和儲存解決方案供應商，憑藉半個多世紀的經驗與創新優勢，為客戶和業務合作夥伴提供傑出的半導體分立元件、系統LSI和HDD產品。
公司在全球擁有21,500名員工，以促進產品價值最大化為己任，與客戶緊密合作，共同創造價值、開拓新市場。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年銷售收入近8000億日圓（61億美元），立志為全人類創造更加美好的未來。
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