東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について
東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。
新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS)構造[注2]を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラス[注３]の低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17％低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。
[注1] 2023年7月現在、当社最新。
[注2] JBS構造 : ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できる構造。
[注3] 2023年7月現在、当社調べ。
応用機器
- スイッチング電源
- EV充電スタンド
- 太陽光発電用インバーター
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注３]の低い順方向電圧：VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
-
低い逆電流：
TRS6E65Hの場合 IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V) -
低い総電荷量：
TRS6E65Hの場合 QC＝17nC (Typ.) (VR=400V、f=1MHz)
■新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C) |
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品番 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
在庫検索 ＆ Web 少量購入 |
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繰り返し ピーク 逆電圧 VRRM (V) |
直流 順電流 IF(DC) (A) |
非繰り返し ピーク順電流 IFSM (A) |
順電圧 (パルス 測定) VF (V) |
逆電流 (パルス 測定) IR (μA) |
端子間 容量 Ct (pF) |
総電 荷量 QC (nC) |
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|
温度 条件 Tc (°C) |
f=50Hz (正弦半波、 t=10ms)、 Tc=25°C |
矩形波、 t=10μs、 Tc=25°C |
IF=IF(DC) |
VR=650V |
VR=400V、 f=1MHz |
|||||
Typ. |
Typ. |
Typ. |
Typ. |
||||||||
TO-220-2L |
650 |
2 |
164 |
19 |
120 |
1.2 |
0.2 |
10 |
6.5 |
||
3 |
161 |
28 |
170 |
0.4 |
14 |
9 |
|||||
4 |
158 |
36 |
230 |
0.6 |
17 |
12 |
|||||
6 |
153 |
41 |
310 |
1.1 |
24 |
17 |
|||||
8 |
149 |
56 |
410 |
1.5 |
31 |
22 |
|||||
10 |
148 |
62 |
510 |
2.0 |
38 |
27 |
|||||
12 |
148 |
74 |
640 |
2.4 |
46 |
33 |
|||||
DFN8×8 |
4 |
155 |
28 |
230 |
0.6 |
17 |
12 |
||||
6 |
151 |
41 |
310 |
1.1 |
24 |
17 |
|||||
8 |
148 |
45 |
410 |
1.5 |
31 |
22 |
|||||
10 |
145 |
54 |
510 |
2.0 |
38 |
27 |
|||||
12 |
142 |
60 |
640 |
2.4 |
46 |
33 |
|||||
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H
当社のSiCショットキーバリアダイオード製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SiCショットキーバリアダイオード
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