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東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について

original 東芝：第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」（画像：ビジネスワイヤ）

東芝：第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」（画像：ビジネスワイヤ）

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。

新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS)構造[注2]を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラス[注３]の低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17％低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。

[注1] 2023年7月現在、当社最新。
[注2] JBS構造 : ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できる構造。
[注3] 2023年7月現在、当社調べ。

応用機器

  • スイッチング電源
  • EV充電スタンド
  • 太陽光発電用インバーター

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注３]の低い順方向電圧：VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
  • 低い逆電流：
    TRS6E65Hの場合 IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V)
  • 低い総電荷量：
    TRS6E65Hの場合 QC＝17nC (Typ.) (VR=400V、f=1MHz)

■新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

在庫検索

＆

Web

少量購入

繰り返し

ピーク

逆電圧

VRRM

(V)

直流

順電流

IF(DC)

(A)

非繰り返し

ピーク順電流

IFSM

(A)

順電圧

(パルス

測定)

VF

(V)

逆電流

(パルス

測定)

IR

(μA)

端子間

容量

Ct

(pF)

総電

荷量

QC

(nC)

 

温度

条件

Tc

(°C)

f=50Hz

(正弦半波、

t=10ms)、

Tc=25°C

矩形波、

t=10μs、

Tc=25°C

IF=IF(DC)

VR=650V

VR=400V、

f=1MHz

Typ.

Typ.

Typ.

Typ.

TRS2E65H

TO-220-2L

650

2

164

19

120

1.2

0.2

10

6.5

Buy Online

TRS3E65H

3

161

28

170

0.4

14

9

Buy Online

TRS4E65H

4

158

36

230

0.6

17

12

Buy Online

TRS6E65H

6

153

41

310

1.1

24

17

Buy Online

TRS8E65H

8

149

56

410

1.5

31

22

Buy Online

TRS10E65H

10

148

62

510

2.0

38

27

Buy Online

TRS12E65H

12

148

74

640

2.4

46

33

Buy Online

TRS4V65H

DFN8×8

4

155

28

230

0.6

17

12

Buy Online

TRS6V65H

6

151

41

310

1.1

24

17

Buy Online

TRS8V65H

8

148

45

410

1.5

31

22

Buy Online

TRS10V65H

10

145

54

510

2.0

38

27

Buy Online

TRS12V65H

12

142

60

640

2.4

46

33

Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H

当社のSiCショットキーバリアダイオード製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SiCショットキーバリアダイオード

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TRS2E65H
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TRS3E65H
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TRS4E65H
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TRS6E65H
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TRS10E65H
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TRS12E65H
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TRS4V65H
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TRS6V65H
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TRS8V65H
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TRS10V65H
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TRS12V65H
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お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
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長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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