Toshiba发布第三代650V碳化硅肖特基势垒二极管，为提高工业设备效率做出贡献

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)已经推出了“TRSxxx65H系列”。这是该公司面向工业设备推出的第三代、也是最新一代^[1]碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。首批12款650V产品已于即日起开始批量出货，其中7种产品采用TO-220-2L封装，5种产品采用DFN8×8封装。

第三代SiC SBD芯片新品应用了一种新金属，优化了第二代产品的结势垒肖特基(JBS)结构^[2]。它们实现了业界领先的^[3] 1.2V（典型值）低正向电压，比前一代的1.45V（典型值）低17%。它们还改善了正向电压和总电容电荷之间以及正向电压和反向电流之间的平衡关系，从而减少了功耗并提高了设备的效率。

注释：
[1] 截至2023年7月。
[2] JBS结构降低了肖特基界面的电场强度并减少了泄漏电流。
[3] 截至2023年7月，Toshiba调查。

应用

• 切换电源
• 电动车充电站
• 光伏逆变器

特性

• 行业领先的^[3] 正向电压：V_F＝1.2V（典型值）(I_F=I_F(DC))
• 低反向电流：
  TRS6E65H I_R＝1.1μA（典型值）(V_R=650V)
• 低总电容电荷：
  TRS6E65H Q_C＝17nC（典型值）(V_R=400V, f=1MHz)

主要规格

（除非另有说明，Ta=25°C）
产品 型号	封装	绝对最大额定值					电气特性				样品 查询与 供货情况
		重复性 峰值 反向 电压 VRRM (V)	正向 直流 电流 IF(DC) (A)		非重复性 峰值正向 浪涌电流 IFSM (A)		正向 电压 （脉冲 测量） VF (V)	反向 电流 （脉冲 测量） IR (μA)	总 电容 Ct (pF)	总 电容 电荷 QC (nC)
				温度条件 Tc (°C)	f=50Hz （半正弦 波， t=10ms）， Tc=25°C	方 波， t=10μs， Tc=25°C	IF=IF(DC)	VR=650V	VR=400V, f=1MHz
							典型值	典型值	典型值	典型值
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5	在线购买
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9	在线购买
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12	在线购买
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17	在线购买
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22	在线购买
TRS10E65H			10	148	62	510		2.0	38	27	在线购买
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33	在线购买
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12	在线购买
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17	在线购买
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22	在线购买
TRS10V65H			10	145	54	510		2.0	38	27	在线购买
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33	在线购买

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
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