Toshiba發佈第三代650V碳化矽蕭特基障壁二極體，有助於提高工業設備效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)已推出「TRSxxx65H系列」。這是該公司針對工業設備推出的第三代、也是最新一代^[1]碳化矽(SiC)蕭特基障壁二極體(SBD)。首批12款650V產品已於即日起開始大量出貨，其中7種產品採用TO-220-2L封裝，5種產品採用DFN8×8封裝。

第三代SiC SBD晶片新品採用新金屬，可促使第二代產品的接面位障蕭特基(JBS)結構最佳化^[2]。它們實現了業界領先的^[3] 1.2V（典型值）低正向電壓，比前一代的1.45V（典型值）低17%。它們還改善了正向電壓和總電容電荷之間以及正向電壓和逆向電流之間的平衡關係，從而減少了功耗並提高了設備的效率。

注釋：
[1] 截至2023年7月。
[2] JBS結構降低了蕭特基介面的電場強度並減少漏電流。
[3] 截至2023年7月，Toshiba調查。

應用

• 切換電源
• 電動車充電站
• 太陽能逆變器

特性

• 業界領先的^[3] 正向電壓：V_F＝1.2V（典型值）(I_F=I_F(DC))
• 低逆向電流：
  TRS6E65H I_R＝1.1μA（典型值）(V_R=650V)
• 低總電容電荷：
  TRS6E65H Q_C＝17nC（典型值）(V_R=400V, f=1MHz)

主要規格

（除非另有說明，Ta=25°C）
產品 型號	封裝	絕對最大額定值					電氣特性				樣品 查詢與 供貨情況
		重複性 峰值 逆向 電壓 VRRM (V)	正向 直流 電流 IF(DC) (A)		非重複性 峰值正向 浪湧電流 IFSM (A)		正向 電壓 （脈衝 測量） VF (V)	逆向 電流 （脈衝 測量） IR (μA)	總 電容 Ct (pF)	總 電容 電荷 QC (nC)
				溫度條件 Tc (°C)	f=50Hz （半正弦 波， t=10ms）， Tc=25°C	方 波， t=10μs, Tc=25°C	IF=IF(DC)	VR=650V	VR=400V, f=1MHz
							典型值	典型值	典型值	典型值
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5	線上購買
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9	線上購買
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12	線上購買
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17	線上購買
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22	線上購買
TRS10E65H			10	148	62	510		2.0	38	27	線上購買
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33	線上購買
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12	線上購買
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17	線上購買
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22	線上購買
TRS10V65H			10	145	54	510		2.0	38	27	線上購買
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33	線上購買

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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值，不斷強化與客戶的密切合作，攜手創造價值，合作開發新市場。在目前近8000億日圓（61億美元）年銷售額的基礎上，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。
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