-

Kioxia start de exploitatie van twee nieuwe R&D-faciliteiten

original Flagship Building at Yokohama Technology Campus (Photo: Business Wire)

Flagship Building at Yokohama Technology Campus (Photo: Business Wire)

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation start vandaag de exploitatie van twee nieuwe R&D-faciliteiten — de Flagship Building op de Yokohama Technology Campus en de Shin-Koyasu Technology Front — om de capaciteiten van het bedrijf op gebied van onderzoek en ontwikkeling van flashgeheugen en SSD's (solid state drives) te versterken. Gaandeweg zullen andere R&D-functies in de Kanagawa-prefectuur naar deze nieuwe R&D-hubs worden overgebracht om de onderzoeksefficiëntie te verbeteren en om verdere vooruitgang op gebied van technologische innovatie aan te zwengelen.

Met de toevoeging van de nieuwe Flagship Building zal de Yokohama Technology Campus bijna dubbel zo groot worden. Hierdoor kan Kioxia haar capaciteiten in het beoordelen van flashgeheugen- en SSD-producten uitbreiden, wat de algehele productontwikkeling en productkwaliteit ten goede komt.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Industry:

Kioxia Corporation

Release Versions
EnglishSpanishPortugueseGermanFrenchItalian (Summary)DutchChinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt kerntechnologie die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maakt

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen i...

Samenvatting: Kioxia en Google werken samen om het gebruik van schone energie in Japan te stimuleren

YOKKAICHI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Als onderdeel van zijn streven naar een duurzamere toekomst heeft Kioxia Corporation (“Kioxia”) vandaag een samenwerkingsinitiatief met Google LLC (“Google”) aangekondigd om het gebruik van schone elektriciteit uit een waterkrachtrenovatieproject in de Japanse regio Chubu te stimuleren. Dit project, dat eigendom is van de Chubu Electric Power-groep, zal naar verwachting de jaarlijkse productie van schone energie verhogen, bijdragen aan de decarbonisatie van he...

Samenvatting: Kioxia en Sandisk kondigen de start aan van Fab2 in de fabriek in Kitakami, Japan, om te voldoen aan de marktvraag die wordt aangedreven door AI

TOKIO & MILPITAS, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een dochteronderneming van Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) en Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK), hebben vandaag de start aangekondigd van Fab2 (K2), een ultramoderne halfgeleiderfabriek in de Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Fab2 heeft de capaciteit om achtste generatie 218-laags 3D-flashgeheugen te produceren, met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS directly Bonded to Array) van de bedrijven, en toekom...
Back to Newsroom