-

Kioxia开始运营两个新的研发机构

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--Kioxia Corporation今天开始运营两个新的研发机构。其中一个是横滨科技园的旗舰大楼,另一个是Shin-Koyasu Technology Front。这些新机构的启用进一步增强了该公司在闪存和固态硬盘(SSD)领域的研发能力。未来,神奈川县的其他研发职能将迁移到这两个新的研发中心,以提高研究效率并促进技术创新的进一步发展。

有了新旗舰大楼后,横滨科技园的面积将增加近一倍,使Kioxia能够扩大其评估闪存和SSD产品的能力,从而提高整体产品开发和产品质量。旗舰大楼配备了环保设施,还获得了ZEB-Ready认证,1该认证授予通过提高能源效率将能源消耗减少50%或更多的建筑。

Shin-Koyasu Technology Front将成为广泛半导体领域(包括新材料、工艺和设备)的前沿基础研究中心。它拥有先进的洁净室,并采用环保设计。

Kioxia Corporation首席技术官Masaki Momodomi表示:“我们很高兴Kioxia的新研发机构现已投入运营。自我们发明NAND闪存以来,在超过35年的时间里,Kioxia一直引领着存储产品的创新。有了这两个新机构,我们将进一步加速和深化我们的研发活动,以提供支持未来数字社会的产品、服务和技术。”

除了新一代存储技术,Kioxia还从事各个领域的研发,包括面向以数据为中心的计算系统和数字化转型的系统技术(例如人工智能)。Kioxia与日本和国外的大学、研究机构和公司一起促进开放式创新。

Kioxia以“记忆由芯,世界尤新”为使命,致力于开发各种举措,以加强其闪存和SSD业务的竞争力。

横滨科技园旗舰大楼
位置:Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
高度:6层
总建筑面积:约40,000 m2

Shin-Koyasu Technology Front
位置:Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
高度:4层
总建筑面积:约13,000 m2

1ZEB代表“net-Zero Energy Building”(净零能耗建筑)。“ZEB-Ready”是日本的Building Energy-efficiency Labeling System指定的等级之一,认证建筑物能够提供舒适的室内环境,同时将其标准一次能源消耗减少50%或更多,不包括可再生能源。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从Toshiba Corporation(1987年发明了NAND闪存)剥离出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展,该公司提供各种产品、服务和系统,为客户提供多样化选择,并基于存储器技术创造价值,推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心)的未来。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kota Yamaji
公共关系
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
公共关系
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia 与 Sandisk 在北上工厂 Fab2 启动第十代 3D 闪存产品生产

日本东京/美国加利福尼亚州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation(东京证券交易所代码:285A)旗下子公司 Kioxia Corporation 与 Sandisk Corporation(纳斯达克股票代码:SNDK)今日宣布,双方已在位于日本岩手县的北上工厂 Fab2(K2)启动第十代 3D 闪存技术的生产。值此重要里程碑之际,两家公司正持续推动未来多年的有效位增长,以满足市场对其创新闪存技术的强劲需求。 伴随第十代产品正式投产,两家公司同期举行了 K2 厂房启用仪式。该厂房于 2025 年 9 月投入运营,目前已承担双方第八代 3D 闪存产品的生产,并将随着第十代产品的导入进一步提升产能。第八代和第十代 3D 闪存均采用创新的 CBA(CMOS directly Bonded to Array,CMOS 直接键合至存储阵列)技术,在高性能、大容量和低功耗方面实现了卓越表现。 Fab2 厂房采用抗震建筑结构,并引入业界先进的节能型制造设备。该厂房运用人工智能技术进一步提升生产效率,同时采用高效利用空...

Kioxia开始出货第十代BiCS FLASH™器件样品:具备高性能、大容量与低功耗特性

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb(太比特)三层单元(TLC)存储器件样品1。这些产品将主要集成到该公司的企业级和数据中心固态硬盘(SSD)中,以增强Kioxia的产品阵容,满足人工智能存储对更高性能、更大容量和更低功耗日益增长的需求。这些新产品将利用位于日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2设施中的尖端设备进行生产。 通过利用自第八代BiCS FLASH™起便已采用的创新型CMOS直接键合到存储阵列(CBA)技术2以及同节距选择栅漏极(OPS)技术3,第十代技术实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度4,较第八代提升了 33%。通过堆叠332层并提高横向密度,比特密度提高了59%。此外,写入和读取的能效分别提高了18%和30%5,有助于降低数据中心和企业级基础设施的功耗。 在其独特的双轴战略下,Kioxia正在同步推进两条不同的产品线:其一为第九代解决方案,旨在以相对较低的投资成本提供高性能;其二为第十代技术,通过利...

Kioxia签署第20届亚运会和第5届亚残运会合作协议

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation欣然宣布,已与爱知·名古屋亚运会和亚残运会组织委员会签署合作协议,以支持2026年爱知·名古屋第20届亚运会和2026年第5届亚残运会。 作为32年来首次重返日本的亚洲最大体育盛会,第20届亚运会将继续把电子竞技列为正式奖牌项目。运动员们将在11个分项和13个小项中展开奖牌角逐。作为本届亚运会的官方游戏固态硬盘供应商,Kioxia将提供其最快的消费级固态硬盘——EXCERIA PRO G2 SSD,确保为选手们创造最佳竞技环境,助力他们发挥出最佳水平。 秉承“用‘记忆’让世界更美好”的使命,Kioxia对这两项赛事的赞助彰显了其支持电子竞技持续发展、助力实现更加丰富多元的数字社会的承诺。 合作协议详情 赞助级别: 第20届亚运会:第4级官方供应商 第5届亚残运会:第4级官方供应商 合同期限:从2026年6月24日(协议签署之日)至12月31日 赛事概览 第20届亚运会 日期:2026年9月19日至10月4日(电子竞技项目:2026年9月23日至10月2日)...
Back to Newsroom