Kioxia 開始運營兩個新的研發機構

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--Kioxia Corporation 今天開始運營兩個新的研發機構。其中一個是橫濱科技園的旗艦大樓，另一個是 Shin-Koyasu Technology Front。這些新機構的啟用進一步增強了該公司在快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 領域的研發能力。未來，神奈川縣的其他研發職能將遷移到這兩個新的研發中心，以提高研究效率並促進技術創新的進一步發展。

有了新旗艦大樓後，橫濱科技園的面積將增加近一倍，使 Kioxia 能夠擴大其評估快閃記憶體和SSD產品的能力，從而提高整體產品開發和產品品質。旗艦大樓配備了環保設施，還獲得了 ZEB-Ready 認證¹ (該認證授予透過提高能源效率將能源消耗減少 50% 或更多的建築)。

Shin-Koyasu Technology Front 將成為廣泛半導體領域 (包括新材料、工藝和設備) 的前沿基礎研究中心。它擁有先進的潔淨室，並採用環保設計。

Kioxia Corporation 技術長 Masaki Momodomi 表示：「我們很高興 Kioxia 的新研發機構現已投入運營。自我們發明 NAND 快閃記憶體以來，在超過 35 年的時間裡，Kioxia 一直引領著存儲產品的創新。有了這兩個新機構，我們將進一步加速和深化我們的研發活動，以提供支援未來數位社會的產品、服務和技術。」

除了新一代存儲技術，Kioxia 還從事各個領域的研發，包括面向以資料為中心的計算系統和數位化轉型的系統技術 (例如人工智慧)。Kioxia 與日本和國外的大學、研究機構和公司一起促進開放式創新。

Kioxia 以「記憶由芯，世界尤新」為使命，致力於開發各種舉措，以加強其快閃記憶體和 SSD 業務的競爭力。

橫濱科技園旗艦大樓
位置：Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
高度：6 層
總建築面積：約 40,000 m²

Shin-Koyasu Technology Front
位置：Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
高度：4 層
總建築面積：約 13,000 m²

¹ ZEB 代表「net-Zero Energy Building」(淨零能耗建築)。「ZEB-Ready」是日本的 Building Energy-efficiency Labeling System 指定的等級之一，認證建築物能夠提供舒適的室內環境，同時將其標準一次能源消耗減少 50% 或更多，不包括可再生能源。

關於 Kioxia

Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory，於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation（1987 年發明了 NAND 快閃記憶體）剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展，該公司提供各種產品、服務和系統，為客戶提供多樣化選擇，並基於記憶體技術創造價值，推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在塑造存儲技術在高密度應用領域（包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心）的未來。

免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。