東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC（炭化ケイ素） MOSFETを発売

～1200Vおよび650V耐圧製品をラインアップ～

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代 SiC MOSFET^[注1][注2]を製品化しました。「TWxxxNxxxCシリーズ」10品種（1200V/650V耐圧）の出荷を本日から開始します。

新製品は、単位面積あたりのオン抵抗R_DS(ON)Aを約43%削減^[注3]しました。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量R_DS(ON)×Q_gd」を約80%削減^[注4]し、スイッチング損失を約20％削減^[注5]しました。オン抵抗削減とスイッチング損失削減の両立を実現した当社第3世代 SiC MOSFETは、産業用機器のさらなる高効率化に貢献します。

今後も当社はパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充と生産設備の増強を進め、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。

[注1] 当社第2世代SiC MOSFETで開発したショットキーバリアダイオードを内蔵した構造を用いて、単位面積あたりのオン抵抗(R_DS(ON)A)を削減、さらにJFETの帰還容量を小さくするデバイス構造を開発。
[注2] MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属酸化膜半導体電界効果トランジスター）の略で、トランジスターの構造の一種。
[注3] 当社第2世代SiC MOSFETのR_DS(ON)Aを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注4] 当社第2世代SiC MOSFETのR_DS(ON)×Q_gdを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注5] 当社第2世代SiC MOSFETと今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。

応用機器
・スイッチング電源 (データセンターなどサーバー用、通信機器用など)
・EV充電スタンド
・太陽光発電用インバーター
・無停電電源装置 (UPS)

新製品の主な特長
・低い単位面積あたりのオン抵抗R_DS(ON)A
・低いドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量R_DS(ON)×Q_gd
・低い順方向電圧 (ダイオード) : V_DSF= －1.35V (typ.) @V_GS= －5V

新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25°C)
品番	パッケージ	絶対最大定格			電気的特性						在庫検索 ＆ Web 少量購入
		ドレイン･ ソース間 電圧 VDSS (V)	ゲート･ ソース間 電圧 VGSS (V)	ドレイン 電流 (DC) ID (A)	ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ)	ゲート しきい値 電圧 Vth (V)	ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC)	ゲート・ ドレイン間 電荷量 Qgd typ. (nC)	入力容量 Ciss typ. (pF)	順方向 電圧 (ダイオード) VDSF typ. (V)
				@Tc=25°C	@VGS=18V	@VDS=10V			@VDS=400V、 f=100kHz	@VGS= －5V
TW015N120C	TO-247	1200	－10～25	100	15	3.0～5.0	158	23	6000	－1.35	Buy Online
TW030N120C				60	30		82	13	2925		Buy Online
TW045N120C				40	45		57	8.9	1969		Buy Online
TW060N120C				36	60		46	7.8	1530		Buy Online
TW140N120C				20	140		24	4.2	691		Buy Online
TW015N65C	TO-247	650	－10～25	100	15	3.0～5.0	128	19	4850	－1.35	Buy Online
TW027N65C				58	27		65	10	2288		Buy Online
TW048N65C				40	48		41	6.2	1362		Buy Online
TW083N65C				30	83		28	3.9	873		Buy Online
TW107N65C				20	107		21	2.3	600		Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
1200V製品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C

650V製品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C

当社のSiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SiC パワーデバイス
SiC MOSFET

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1200V製品
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