東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC（炭化ケイ素） MOSFETを発売
東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC（炭化ケイ素） MOSFETを発売
～1200Vおよび650V耐圧製品をラインアップ～
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代 SiC MOSFET[注1][注2]を製品化しました。「TWxxxNxxxCシリーズ」10品種（1200V/650V耐圧）の出荷を本日から開始します。
新製品は、単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)Aを約43%削減[注3]しました。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd」を約80%削減[注4]し、スイッチング損失を約20％削減[注5]しました。オン抵抗削減とスイッチング損失削減の両立を実現した当社第3世代 SiC MOSFETは、産業用機器のさらなる高効率化に貢献します。
今後も当社はパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充と生産設備の増強を進め、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。
[注1] 当社第2世代SiC MOSFETで開発したショットキーバリアダイオードを内蔵した構造を用いて、単位面積あたりのオン抵抗(RDS(ON)A)を削減、さらにJFETの帰還容量を小さくするデバイス構造を開発。
[注2] MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属酸化膜半導体電界効果トランジスター）の略で、トランジスターの構造の一種。
[注3] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)Aを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注4] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)×Qgdを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注5] 当社第2世代SiC MOSFETと今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
応用機器
・スイッチング電源 (データセンターなどサーバー用、通信機器用など)
・EV充電スタンド
・太陽光発電用インバーター
・無停電電源装置 (UPS)
新製品の主な特長
・低い単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)A
・低いドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd
・低い順方向電圧 (ダイオード) : VDSF= －1.35V (typ.) @VGS= －5V
新製品の主な仕様 |
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(特に指定のない限り、@Ta=25°C) |
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品番 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
在庫検索 ＆ Web 少量購入 |
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ドレイン･ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート･ ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ) |
ゲート しきい値 電圧 Vth (V) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲート・ ドレイン間 電荷量 Qgd typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
順方向 電圧 (ダイオード) VDSF typ. (V) |
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@Tc=25°C |
@VGS=18V |
@VDS=10V |
@VDS=400V、 f=100kHz |
@VGS= －5V |
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TO-247 |
1200 |
－10～25 |
100 |
15 |
3.0～5.0 |
158 |
23 |
6000 |
－1.35 |
||
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
|||||||
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
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36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
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20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
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TO-247 |
650 |
－10～25 |
100 |
15 |
3.0～5.0 |
128 |
19 |
4850 |
－1.35 |
||
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
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40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
|||||||
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
|||||||
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
1200V製品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C
650V製品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C
当社のSiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SiC パワーデバイス
SiC MOSFET
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長沢千秋
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