東芝推出第三代碳化矽MOSFET來提高工業設備效率

- 產品陣容覆蓋1200V和650V產品 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）推出了全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET^[1][2]，具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品，已經開始出貨。

新產品將單位面積的導通電阻(R_DS(ON)A)降低了約43%^[3]，使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標——漏源導通電阻*閘-漏電荷(R_DS(ON)*Q_gd)降低了約80%^[4]。開關損耗也減少了約20%^[5]，因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。

東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容，加強其生產設施，並透過提供易於使用的高性能功率元件，實現無碳經濟。

注釋：
[1] 東芝透過利用為第二代碳化矽MOSFET開發的內建肖特基勢壘二極體開發了一種元件結構，降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)，同時也減少了JFET區域的回授電容。
[2] MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應電晶體
[3] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)A設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[4] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)*Qgd設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[5] 新型1200V碳化矽MOSFET和第二代碳化矽MOSFET的比較。東芝調查。

應用
・開關電源（伺服器、資料中心、通訊設備等）
・電動汽車充電站
・太陽能逆變器
・不斷電供應系統(UPS)

特性
・低單位面積導通電阻(R_DS(ON)A)
・低漏源導通電阻*閘-漏電荷(R_DS(ON)*Q_gd)
・低二極體正向電壓：V_DSF= -1.35V（典型值）@V_GS= -5V

主要規格
（@Ta=25°C，除非另有說明）
組件型號	封裝	絕對最大額定值			電氣特性						樣本查閱  和  庫存查詢
		漏-源電壓  VDSS  (V)	閘-源電壓  VGSS  (V)	漏極電流(DC)  ID  (A)	漏-源導通電阻RDS(ON)  典型值  (mΩ)	柵極閾值電壓  Vth  (V)	總閘極電荷  Qg  典型值  (nC)	閘-漏電荷  Qgd  典型值  (nC)	輸入電容  Ciss  典型值  (pF)	二極體正向電壓  VDSF  典型值  (V)
				@Tc=25°C	@VGS=18V	@VDS=10V			@VDS=400V,  f=100kHz	@VGS= -5V
TW015N120C	TO-247	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	-1.35	線上購買
TW030N120C				60	30		82	13	2925		線上購買
TW045N120C				40	45		57	8.9	1969		線上購買
TW060N120C				36	60		46	7.8	1530		線上購買
TW140N120C				20	140		24	4.2	691		線上購買
TW015N65C		650		100	15		128	19	4850		線上購買
TW027N65C				58	27		65	10	2288		線上購買
TW048N65C				40	48		41	6.2	1362		線上購買
TW083N65C				30	83		28	3.9	873		線上購買
TW107N65C				20	107		21	2.3	600		線上購買

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1200產品
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關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球各地的2.3萬名員工同心同德，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過8,500億日圓（75億美元）的年度銷售額基礎上再接再厲，為全人類創造更加美好的未來。
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