東芝推出第三代碳化矽MOSFET來提高工業設備效率
東芝推出第三代碳化矽MOSFET來提高工業設備效率
- 產品陣容覆蓋1200V和650V產品 -
日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）推出了全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET[1][2]，具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品，已經開始出貨。
新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3]，使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標——漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。開關損耗也減少了約20%[5]，因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。
東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容，加強其生產設施，並透過提供易於使用的高性能功率元件，實現無碳經濟。
注釋：
[1] 東芝透過利用為第二代碳化矽MOSFET開發的內建肖特基勢壘二極體開發了一種元件結構，降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)，同時也減少了JFET區域的回授電容。
[2] MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應電晶體
[3] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)A設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[4] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)*Qgd設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[5] 新型1200V碳化矽MOSFET和第二代碳化矽MOSFET的比較。東芝調查。
應用
・開關電源（伺服器、資料中心、通訊設備等）
・電動汽車充電站
・太陽能逆變器
・不斷電供應系統(UPS)
特性
・低單位面積導通電阻(RDS(ON)A)
・低漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)
・低二極體正向電壓：VDSF= -1.35V（典型值）@VGS= -5V
主要規格 |
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（@Ta=25°C，除非另有說明） |
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組件型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
樣本查閱 和 庫存查詢 |
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漏-源電壓 VDSS (V) |
閘-源電壓 VGSS (V) |
漏極電流(DC) ID (A) |
漏-源導通電阻RDS(ON) 典型值 (mΩ) |
柵極閾值電壓 Vth (V) |
總閘極電荷 Qg 典型值 (nC) |
閘-漏電荷 Qgd 典型值 (nC) |
輸入電容 Ciss 典型值 (pF) |
二極體正向電壓 VDSF 典型值 (V) |
|||
@Tc=25°C |
@VGS=18V |
@VDS=10V |
@VDS=400V, f=100kHz |
@VGS= -5V |
|||||||
TO-247 |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
-1.35 |
||
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
|||||||
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
|||||||
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
|||||||
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
|||||||
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
||||||
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
|||||||
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
|||||||
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
|||||||
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
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1200產品
TW015N120C
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