东芝推出第三代碳化硅MOSFET来提高工业设备效率

- 产品阵容覆盖1200V和650V产品 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET^[1][2]，具有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为5种1200V和5种650V产品，已经开始发货。

新产品将单位面积的导通电阻(R_DS(ON)A)降低了约43%^[3]，使代表传导损耗和开关损耗之间关系的重要指标——漏源导通电阻*栅-漏电荷(R_DS(ON)*Q_gd)降低了约80%^[4]。开关损耗也减少了约20%^[5]，因而同时降低了导通电阻和开关损耗。这些新产品可提高设备效率。

东芝将继续扩大其功率器件的产品阵容，加强其生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，实现无碳经济。

注释：
[1] 东芝通过利用为第二代碳化硅MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管开发了一种器件结构，降低了单位面积的导通电阻(RDS(ON)A)，同时也减少了JFET区域的反馈电容。
[2] MOSFET：金属-氧化物半导体场效应晶体管
[3] 第二代碳化硅MOSFET的RDS(ON)A设为1时对比新型1200V碳化硅MOSFET。东芝调查。
[4] 第二代碳化硅MOSFET的RDS(ON)*Qgd设为1时对比新型1200V碳化硅MOSFET。东芝调查。
[5] 新型1200V碳化硅MOSFET和第二代碳化硅MOSFET的比较。东芝调查。

应用
・开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
・电动汽车充电站
・光伏逆变器
・不间断电源(UPS)

特性
・低单位面积导通电阻(R_DS(ON)A)
・低漏源导通电阻*栅-漏电荷(R_DS(ON)*Q_gd)
・低二极管正向电压：V_DSF= -1.35V（典型值）@V_GS= -5V

主要规格
（@Ta=25°C，除非另有说明）
部件型号	封装	绝对最大额定值			电气特性						样本查阅  和  库存查询
		漏-源电压  VDSS  (V)	栅-源电压  VGSS  (V)	漏极电流(DC)  ID  (A)	漏-源导通电阻RDS(ON)  典型值  (mΩ)	栅极阈值电压  Vth  (V)	总栅极电荷  Qg  典型值  (nC)	栅-漏电荷  Qgd  典型值  (nC)	输入电容  Ciss  典型值  (pF)	二极管正向电压  VDSF  典型值  (V)
				@Tc=25°C	@VGS=18V	@VDS=10V			@VDS=400V,  f=100kHz	@VGS= -5V
TW015N120C	TO-247	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	-1.35	在线购买
TW030N120C				60	30		82	13	2925		在线购买
TW045N120C				40	45		57	8.9	1969		在线购买
TW060N120C				36	60		46	7.8	1530		在线购买
TW140N120C				20	140		24	4.2	691		在线购买
TW015N65C		650		100	15		128	19	4850		在线购买
TW027N65C				58	27		65	10	2288		在线购买
TW048N65C				40	48		41	6.2	1362		在线购买
TW083N65C				30	83		28	3.9	873		在线购买
TW107N65C				20	107		21	2.3	600		在线购买

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球各地的2.3万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过8,500亿日元（75亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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