Kioxia ganha Prêmio Invenção 2022 da Comenda Nacional de Invenção

TÓQUIO--(BUSINESS WIRE)--A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que recebeu o Prêmio Invenção 2022 pela Comenda Nacional de Invenção (National Commendation for Invention) por sua Invenção de Otimização do Método de Leitura para Memória Flash Multinível (patente No. 4892307). Criada em 1919, a Comenda Nacional de Invenção é um programa japonês dedicado à promoção da ciência, tecnologia e reconhecimento das indústrias com invenções, ideias e projetos excepcionais. Este é o terceiro ano consecutivo em que a Kioxia recebe um prêmio deste prestigioso programa.

Premiados (ambos funcionários da Kioxia):

• Mitsuaki Honma, especialista chefe, Departamento de Gerenciamento de Projetos de Memória, Divisão de Memória
• Noboru Shibata, assistente do gerente geral, Centro de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Dispositivos, Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Memória

Ao adotar uma nova codificação de bits inovadora e mais uniformemente distribuída, a tecnologia premiada da Kioxia reduz a taxa de erro máxima esperada na memória flash multinível, e reduz a área do chip necessária para armazenar códigos de correção de erros (error correction codes, ECCs). Além disso, este desenvolvimento revolucionário melhora a latência máxima de leitura da memória flash.

Em resposta à crescente demanda por armazenamento de grande capacidade em nossa sociedade digital, a memória flash está se tornando cada vez mais multinível, de modo que mais de um bit de dados pode ser armazenado em cada célula de memória. A memória flash multinível, na qual três ou mais bits de dados são armazenados em cada célula de memória, requer um número ainda maior de operações de determinação para discriminar um determinado estado (tensão limite) de uma célula de memória para a leitura de dados. Além disso, variações no número de operações de determinação alocadas entre os bits são ainda maiores na memória flash multinível, exigindo maiores capacidades de correção de erros. Na codificação convencional de bits, a leitura de um determinado bit requer um número maior de operações de determinação (ou seja, leitura mais intensa) em comparação com a leitura de outros bits; isso causa um aumento dos erros compostos na leitura de tais bits. Isto significa que é necessária mais área de chip para armazenar os dados decorrentes do aumento do número de ECCs. Este aumento nas operações de determinação com codificação convencional de bits aumenta a latência de leitura para esses bits.

Inspirada por sua missão de melhorar o mundo com memória, a Kioxia está comprometida com a pesquisa e o desenvolvimento de tecnologias que agreguem valor para pessoas em todo o mundo.

Sobre a Kioxia

A Kioxia é líder mundial em soluções de memória e se dedica a atividades de desenvolvimento, produção e venda de memórias flash e unidades em estado sólido (solid state drives, SSDs). Em abril de 2017, a Toshiba Memory — sua antecessora — foi desmembrada da Toshiba Corporation, empresa que, em 1987, criou a memória flash NAND. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com memória, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor com base em memória para a sociedade. A BiCS FLASH™, tecnologia inovadora de memória flash 3D da Kioxia, está definindo o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSD, automóveis e centros de dados.

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