-

Kioxia insignita dell’Invention Prize 2022 dalla National Commendation for Invention

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi di essere stata insignita dell’Invention Prize 2022 dalla National Commendation for Invention per aver ideato l’ottimizzazione del metodo di lettura per le memorie flash multilivello (brevetto n. 4892307). Istituito nel lontano 1919, il National Commendation for Invention è un programma giapponese dedicato alla promozione della scienza, della tecnologia e delle attività industriali che si distinguono per le invenzioni, le idee e i design migliori. È il terzo anno consecutivo che Kioxia ottiene un riconoscimento da questo prestigioso programma.

Premiati (entrambi dipendenti di Kioxia):

  • Mitsuaki Honma, Specialista capo, Reparto Gestione design memorie, Divisione Memorie
  • Noboru Shibata, Assistente del Direttore generale, Centro ricerca e sviluppo tecnologie per dispositivi, Istituto per la ricerca e lo sviluppo delle tecnologie di memoria

Adottando un nuovo metodo di codifica dei bit innovativo e distribuito-assegnato più uniformemente, la premiata tecnologia di Kioxia riduce il previsto tasso massimo di errore nelle memorie flash multilivello e lo spazio necessario sul chip per la memorizzazione dei codici di correzione degli errori (error correction codes, ECC).

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Contacts

Kota Yamaji
Relazioni pubbliche
Kioxia Holdings Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Industry:

Kioxia Corporation

Release Versions
EnglishSpanishPortugueseGermanFrenchItalian (Summary)Dutch (Summary)Chinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

Kota Yamaji
Relazioni pubbliche
Kioxia Holdings Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Riassunto: Kioxia sviluppa una tecnologia fondamentale che consentirà l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densità e basso consumo energetico

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, azienda leader mondiale nelle soluzioni di memoria, oggi ha annunciato lo sviluppo di transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili che consentiranno l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densità e basso consumo energetico. Questa tecnologia è stata presentata al IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) che si è svolto a San Francisco, USA, il 10 dicembre, e che potenzialmente riduce il consumo energetico...

Riassunto: Kioxia e Google collaborano per aumentare l’uso di energia pulita in Giappone

YOKKAICHI, Giappone--(BUSINESS WIRE)--Nell’ambito del suo impegno per un futuro più sostenibile, Kioxia Corporation (“Kioxia”) oggi ha annunciato l’avvio di un’iniziativa collaborativa con Google LLC (“Google”) volta ad aumentare l’utilizzo dell’energia elettrica pulita generata da un progetto di ristrutturazione idroelettrica nella regione giapponese di Chubu. Si prevede che questo progetto, di proprietà del gruppo Chubu Electric Power, aumenterà la produzione annua di energia pulita, contribu...

Riassunto: Kioxia e Sandisk annunciano l’avvio dell’attività di Fab2 presso lo stabilimento giapponese di Kitakami per soddisfare la domanda di mercato trainata dall’IA

TOKYO e MILPITAS, California--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, un’affiliata Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A), e Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK) oggi hanno annunciato l’avvio dell’attività di Fab2 (K2), un impianto all’avanguardia per la produzione di dispositivi a semiconduttori, presso lo stabilimento di Kitakami nella prefettura di Iwate, in Giappone. Fab2 è in grado di produrre la memoria flash 3D a 218 strati di ottava generazione, integrando la rivoluzionaria tecnologia CBA...
Back to Newsroom