东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了采用薄型SO6L封装的两款光耦——“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件即日起开始批量出货。

TLP5705H采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄型封装(SO6L)，是东芝首款可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器和伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。

TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘^[1]，便于替代东芝现有产品^[2]。SO6L比SDIP6更纤薄，能够为电路板组件布局提供更高的灵活性，并支持电路板背面安装，或用于器件高度受限的新型电路设计。

这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（T_a=-40至125ºC），使其更容易设计和保持温度裕度。

此外，东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)与TLP5705H(LF4)，采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。

注：
[1] 封装高度：4.25毫米（最大值）
[2] 当前产品：采用SDIP6封装的TLP700H

应用

工业设备

• 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

特性

• 高峰值输出电流额定值（Ta＝-40℃至125℃时）
  I_OP=±2.5A (TLP5702H)
  I_OP=±5.0A (TLP5705H)
• 薄型SO6L封装
• 高工作温度额定值：T_opr（最大值）=125°C

主要规格

			（除非另有说明，Ta=-40℃至125℃时）
器件型号			TLP5702H	TLP5705H	TLP5702H(LF4)	TLP5705H(LF4)
封装	名称		SO6L		SO6L(LF4)
	尺寸(mm)		10×3.84（典型值）  厚度：2.3（最大值）		11.05×3.84（典型值）  厚度：2.3（最大值）
绝对最大额定值	工作温度Topr (°C)		-40至125
	峰值输出电流IOPH/IOPL (A)		±2.5	±5.0	±2.5	±5.0
电气特性	峰值高电平输出电流  IOPH最大值(A)	IF=5mA，  VCC=15V，  V6-5=-7V时	-2.0
	峰值低电平输出电流  IOPL最小值(A)	IF=0mA，  VCC=15V，  V5-4=7V时	2.0
	峰值高电平输出电流(L/H)  IOLH最大值(A)	IF=0→10mA，  VCC=15V，  Cg=0.18μF，  CVDD=10μF时	－	-3.5	－	-3.5
	峰值低电平输出电流(H/L)  IOHL最小值(A)	IF=10→0mA，  VCC=15V，  Cg=0.18μF，  CVDD=10μF时	－	3.0	－	3.0
	电源电压VCC (V)		15至30
	电源电流ICCH、ICCL最大值(mA)		3.0
	输入电流阈值(L/H)  IFLH最大值(mA)		5
开关特性	传播延迟时间  tpHL、tpLH最大值(ns)		200
	脉冲宽度失真  |tpHL–tpLH|最大值(ns)		50
	传播延迟差  （器件到器件）  tpsk (ns)		-80至80
	共模  瞬变抗性  CMH、CML最小值(kV/μs)	Ta=25°C时	±50
隔离特性	隔离电压  BVS最小值(Vrms)	Ta=25°C时	5000
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