东芝发布采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备效率

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，“东芝”）在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET：TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z。从今天开始批量出货。

TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文(Kelvin)连接。这种设计可减小封装中源极线电感的影响，进而发挥MOSFET实现高速开关的性能，并抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z^[1]相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断切换损耗降低了约56%^[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新^[4]DTMOSVI工艺技术的结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻^[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进，以减小设备尺寸并提高效率。

注：
[1]具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2]截至2021年3月10日，东芝测得的数值（测试条件：V_DD=400V, V_GG=+10V/0V, I_D=15A, R_g=10Ω, T_a=25℃）。
[3]仅限TK090U65Z
[4]截至2021年3月10日
[5]仅限TK065U65Z

应用

• 数据中心（服务器电源等）
• 光伏发电机用电源调节器
• 不间断电源系统

特性

• 纤薄、小巧的表面贴装封装
• 采用4引脚封装，可减少导通和关断的开关损耗
• 最新^[4]一代DTMOSVI系列

主要规格

(Ta=25°C)
器件型号		TK065U65Z	TK090U65Z	TK110U65Z	TK155U65Z	TK190U65Z
封装	名称	TOLL
	尺寸典型值  (mm)	9.9x11.68, t:2.3
绝对最大额定值	漏极  源极  电压  VDSS (V)	650
	漏极  电流  (DC)  ID (A)	38	30	24	18	15
漏源  导通电阻  RDS(ON)最大值(Ω)  @VGS=10V		0.065	0.09	0.11	0.155	0.19
栅极电荷总量  Qg典型值(nC)		62	47	40	29	25
栅极漏极电荷  Qgd典型值(nC)		17	12	11	8	7.1
输入电容  Ciss典型值(pF)		3650	2780	2250	1635	1370
结壳  热阻  Rth(ch-c)最大值(℃/W)		0.462	0.543	0.657	0.833	0.961
常规系列(DTMOSIV)  器件型号		-	-	-	TK20G60W^[6]	TK16G60W^[6]
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注：
[6]VDSS＝600V，D2PAK封装

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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