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東芝推出採用TOLL封裝的650V超級接面功率MOSFET,有助於改善大電流設備的效率

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,「東芝」)在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級接面功率MOSFET:TK065U65ZTK090U65ZTK110U65ZTK155U65ZTK190U65Z。從今天開始大量生產出貨。

TOLL是表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬於4針型封裝,能夠對柵極驅動的訊號源端子進行開爾文(Kelvin)連接。這種設計可減小封裝中源極線電感的影響,進而發揮MOSFET的高速開關性能,並抑制開關時產生的振盪。與東芝現有產品TK090N65Z[1]相比,其導通開關損耗降低了約68%,關斷切換損耗降低了約56%[2][3]。新型MOSFET適用於資料中心和光電功率調節器等工業設備的電源。

TOLL封裝與最新[4]DTMOSVI製程技術的結合擴展了產品陣容,涵蓋了低至65mΩ(最大值)的低導通電阻[5]。東芝將繼續採用TOLL封裝製程對產品進行升級,以減小設備尺寸並提高效率。

註:
[1]具有等效電壓和導通電阻的DTMOSVI系列產品均採用無開爾文連接的TO-247封裝製程
[2]截至2021年3月10日,東芝測得的數值(測試條件:VDD=400V, VGG=+10V/0V, ID=15A, Rg=10Ω, Ta=25℃)。
[3]僅限TK090U65Z
[4]截至2021年3月10日
[5]僅限TK065U65Z

應用

  • 資料中心(伺服器電源等)
  • 光電發電機用電源調節器
  • 不斷電供應系統

特性

  • 纖薄、小巧的表面貼裝封裝
  • 採用4針封裝,可減少導通和關斷的開關損耗
  • 最新[4]一代DTMOSVI系列

主要規格

(Ta=25°C)

器件型號

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

封裝

名稱

TOLL

尺寸典型值 

(mm)

9.9x11.68, t:2.3

絕對最大額定值

漏極 

源極 

電壓 

VDSS (V)

650

漏極 

電流 

(DC) 

ID (A)

38

30

24

18

15

漏源 

導通電阻 

RDS(ON)最大值(Ω) 

@VGS=10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19

柵極電荷總量 

Qg典型值(nC)

62

47

40

29

25

柵極漏極電荷 

Qgd典型值(nC)

17

12

11

8

7.1

輸入電容 

Ciss典型值(pF)

3650

2780

2250

1635

1370

結殼 

熱阻 

Rth(ch-c)最大值(℃/W)

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961

常規系列(DTMOSIV) 

器件型號

-

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TK20G60W[6]

TK16G60W[6]

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註:
[6]VDSS=600V,D2PAK封裝

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