-

东芝推出有助于缩减器件尺寸和稳定电源线输出的轻薄紧凑型LDO稳压器

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,“东芝”)推出了由45款LDO稳压器组成的“TCR5RG系列”,该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。新款LDO稳压器拥有业界领先的[1]高纹波抑制比[2],能够为可穿戴产品等移动设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列产品将从今日开始批量出货。

TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器(仅允许极低频率通过)以及低噪声高速运算放大器,实现了业界领先的[1]100dB(典型值)高纹波抑制比[2]。此外,它们还具有低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起,使该系列稳压器能够提高电源线的稳定性。

该系列包含45款产品,最大输出电流为500mA,输出电压范围在0.9V到5.0V之间,以便用户根据自己的应用选择最合适的输出电压。

新款LDO稳压器采用尺寸为0.645mm×0.645mm的轻薄紧凑型WCSP4F封装,适合摄像头和小型设备(例如需要高密度贴装的智能手机和可穿戴产品)的电源线应用。

应用

  • 可穿戴设备(智能手表和运动型相机等)
  • 移动设备(智能手机、平板电脑和便携式音频播放器等)
  • 医疗保健(电动剃须刀、电子血压计和血糖仪等)

特性

  • 高纹波抑制比:f=1kHz时,R.R.=100dB(典型值)
  • 低输出噪声电压:10Hz≤f≤100kHz时,VNO =5μVrms(典型值)
  • 高输出电压精度:
    1.8V≤VOUT ≤2.8V,Tj =-40℃至85℃时,VOUT 最小值/最大值=-1.5/1.5%
    VOUT >2.8V,Tj =-40℃至85℃时,VOUT 最小值/最大值=-1.8/1.8%
  • 轻薄紧凑型WCSP4F封装:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度=0.33mm(最大值)

主要规格

器件型号

TCR5RGxxA[3]

封装

名称

WCSP4F

尺寸 (mm)

Ta=25°C时

0.645×0.645(典型值),

厚度=0.33(最大值)

工作

温度范围

(Ta=-40℃

至85℃时)

输出电流IOUT (mA)

500

输出电压VOUT (V)

0.9至5.0

输入电压VIN (V)

1.8至5.5

电气

特征

(如无特殊说

明,

@Tj=25°C)

输出电压精度

VOUT最小值/最大值(mV)

VOUT<1.8V时

Tj= -40至85°C

-36/36

输出电压精度

VOUT最小值/最大值(%)

1.8V≤VOUT≤2.8V时,

Tj= -40至85°C

-1.5/1.5

VOUT>2.8V时,

Tj= -40至85°C

-1.8/1.8

静态电流

IB(ON)典型值(μA)

IOUT=0mA[4]

7

纹波抑制比

R.R.典型值(dB)

f=1kHz, Ta=25°C时

100

f=10kHz, Ta=25°C时

93

f=100kHz, Ta=25°C时

67

f=1MHz, Ta=25°C时

59

输出噪声电压

VNO典型值(μVrms)

IOUT=10mA, Ta=25°C时

5

压差

VDO典型值(mV)

VOUT=2.8V时,

IOUT=500mA

150

负载瞬态响应

⊿VOUT典型值(mV)

IOUT=1mA→500mAs时

-40

IOUT=500mA→1mA时

40

输出电压摆率

VOUTSR典型值(mV/μs)

VOUT=2.8V时

30

样品查看与供货状态

在线购买

注:
[1]根据2021年3月2日东芝对最大输出为500mA的LDO稳压器的调查。
[2]该纹波抑制比(R.R.)与其他制造商的产品指示的电源抑制比(PSRR)相同。
[3]45款产品。该数值显示输出电压为“XX”。
[4]控制下拉电流(ICT)除外。

如需了解相关新品的更多信息,请访问以下网址。
TCR5RG系列

如需了解有关东芝LDO稳压器的更多信息,请访问以下网址。
低压差稳压器(LDO稳压器)
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/power-management-ics/low-dropout-regulators-ldo-regulators.html

如需了解相关新产品在在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:
TCR5RGxxA
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCR5RG.html

客户垂询
小型信号器件销售与市场部
电话:+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文档中的信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,均为发布之日的最新信息,如有更改,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,公司已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司在全球各地的2.4万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元(68亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。
如需了解更多关于东芝电子元件及存储装置株式会社的信息,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体咨询:
Chiaki Nagasawa
数字化营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

媒体咨询:
Chiaki Nagasawa
数字化营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出面向工业和消费级应用的40V电子保险丝(eFuse IC)

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)为其电子保险丝(eFuse IC)产品阵容新增了40V“TCKE6系列”产品,该系列产品可支持电源线电路保护所需的多项功能。此次新增的五款产品分别为“TCKE601RA”、“TCKE601RL”、“TCKE602RM”、“TCKE603RA”和“TCKE603RL”。产品发货自即日起开始。 新款TCKE6系列产品提供与标准实体保险丝类似的短路保护,同时还集成了限流和过压保护功能——这些都是实体保险丝[1]无法实现的功能,可保护电路免受过流和过压损害。当电路中某一点出现过流或过压情况时,这些功能能够避免过大电流或电压施加于后续的集成电路。这些eFuse IC还内置热保护功能,当产生异常热量或发生突发短路时可立即关断,从而保护后续电路。eFuse IC的另一大优势是简化电路设计。通过将多种保护功能集成于单一器件,它们减少了对分立元件的需求,可实现元件数量更少、占用空间更小的紧凑型高效设计。 TCK...

Toshiba推出双通道标准数字隔离器,助力工业设备实现稳定高速隔离数据传输

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")面向工业设备推出了四款双通道高速标准数字隔离器。全新“DCL52xx00系列”产品具备100kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抗扰度(CMTI)和150Mbps(最大值)[2]的高速数据速率,可支持设备稳定运行。产品发货自即日起开始。 “DCL520C00”和“DCL520D00”采用两个正向通道的通道配置,“DCL521C00”和“DCL521D00”则为一个正向通道和一个反向通道。这些全新双通道产品与此前发布的“DCL54xx01系列”四通道产品共同构成面向工业设备的标准数字隔离器产品线。随着这些新产品的加入,Toshiba的整体产品线现已涵盖14款产品,提供丰富的通道配置选择,有助于提升设计灵活性。 全新DCL52xx00系列产品采用Toshiba专有的磁耦合式隔离传输方法,可实现与DCL54xx01系列产品相同的100kV/μs(典型值)的高CMTI。这一特性可大幅提升隔离信号传输...

Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET,以提升工业设备开关电源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。 100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上,优化了漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)及二者的权衡特性(RDS(ON) × Qg),从而降低了传导损耗和开关损耗。 与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比,TPH2R70AR5的RDS(ON)降低约8%,Qg降低37%,RDS(ON) × Qg改善42%。通过应用寿命控制技术[2],该产品还实现了高速体二极管性能,减少了反向恢复电荷(Qrr)并抑制了尖峰电压。Qrr改善约38%,RDS(ON) × Qrr也改善约43%。这些行业领先的[3]权衡特性[4](R...
Back to Newsroom