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東芝推出適用於高效率電源的1200V碳化矽MOSFET

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B。該產品適用於大容量電源等工業應用,於即日起供貨。

該功率MOSFET採用新材料SiC,與常規的矽(Si) MOSFET、IGBT產品相比,具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性,因此有利於降低功耗,精簡系統。

這款新元件採用可提高SiC MOSFET可靠性的東芝第二代晶片設計[1]生產,具有低輸入電容、低閘極輸入電荷、低漏源導通電阻等特性。與東芝的1200V矽絕緣閘極雙極電晶體(IGBT) GT40QR21相比,其關斷開關損耗降低80%左右,開關時間(下降時間)大約縮短70%,並且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓[2]。

其閘極閾值電壓設定在4.2V至5.8V的較高電壓範圍內,有助於降低故障風險(意外開啟或關閉)。此外,內建的具有低正向電壓的SiC肖特基勢壘二極體(SBD)也有助於降低功耗。

在大容量AC-DC轉換器、太陽光逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中,這款新型MOSFET將不僅透過降低功耗來達到提高效率的目的,而且也有助於縮小設備尺寸。

注釋:
[1] 東芝於2020年7月30日發布的新聞:《東芝的新元件結構提高SiC MOSFET的可靠性》
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[2] 環境溫度25°C

應用場景

  • 大容量AC-DC轉換器
  • 太陽光逆變器
  • 大容量雙向DC-DC轉換器

特性

  • 第二代晶片設計(內建SiC SBD)
  • 高電壓、低輸入電容、低總閘極電荷、低導通電阻、低二極體正向電壓、高閘極閾值電壓:

   VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),RDS(ON)=70mΩ(典型值),VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2~5.8V

  • 易於操作的增強類型

主要規格

(除非另有說明,Ta=25℃)

元件

型號

封裝

絕對最大額定值

電氣特性

庫存查詢與供貨

漏源

電壓

VDSS

(V)

漏極電流

(DC)

ID

Tc=25℃時

(A)

漏源

導通電阻

RDS(ON)

典型值

VGS=20V時

(mΩ)

閘極閾值電壓

Vth

VDS=10V,

ID=20mA時

(V)

總閘極電荷

Qg

典型值

(nC)

輸入電容

Ciss 典型值 (pF)

二極體正向電壓

VDSF

典型值

IDR=10A,

VGS=-5V 時

(V)

TW070J120B

TO-3P(N)

1200

36.0

70

4.2至5.8

67

1680

-1.35

線上購買

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https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B

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https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html

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*本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

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