東芝推出適用於高效率電源的1200V碳化矽MOSFET

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）推出1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B。該產品適用於大容量電源等工業應用，於即日起供貨。

該功率MOSFET採用新材料SiC，與常規的矽(Si) MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，因此有利於降低功耗，精簡系統。

這款新元件採用可提高SiC MOSFET可靠性的東芝第二代晶片設計^[1]生產，具有低輸入電容、低閘極輸入電荷、低漏源導通電阻等特性。與東芝的1200V矽絕緣閘極雙極電晶體(IGBT) GT40QR21相比，其關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）大約縮短70%，並且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓^[2]。

其閘極閾值電壓設定在4.2V至5.8V的較高電壓範圍內，有助於降低故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內建的具有低正向電壓的SiC肖特基勢壘二極體(SBD)也有助於降低功耗。

在大容量AC-DC轉換器、太陽光逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這款新型MOSFET將不僅透過降低功耗來達到提高效率的目的，而且也有助於縮小設備尺寸。

注釋：
[1] 東芝於2020年7月30日發布的新聞：《東芝的新元件結構提高SiC MOSFET的可靠性》
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[2] 環境溫度25°C

應用場景

• 大容量AC-DC轉換器
• 太陽光逆變器
• 大容量雙向DC-DC轉換器

特性

• 第二代晶片設計（內建SiC SBD）
• 高電壓、低輸入電容、低總閘極電荷、低導通電阻、低二極體正向電壓、高閘極閾值電壓：

　　 V_DSS=1200V，C_iss=1680pF（典型值），Q_g=67nC（典型值），R_DS(ON)=70mΩ（典型值），V_DSF=-1.35V（典型值），V_th=4.2～5.8V

• 易於操作的增強類型

主要規格

（除非另有說明，Ta=25℃）
元件 型號	封裝	絕對最大額定值		電氣特性					庫存查詢與供貨
		漏源 電壓 VDSS (V)	漏極電流 (DC) ID Tc=25℃時 (A)	漏源 導通電阻 RDS(ON) 典型值 VGS=20V時 (mΩ)	閘極閾值電壓 Vth VDS=10V， ID=20mA時 (V)	總閘極電荷 Qg 典型值 (nC)	輸入電容 Ciss 典型值 (pF)	二極體正向電壓 VDSF 典型值 IDR=10A, VGS=-5V 時 (V)
TW070J120B	TO-3P(N)	1200	36.0	70	4.2至5.8	67	1680	-1.35	線上購買

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