东芝推出适用于高效率电源的1200V碳化硅MOSFET

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出1200V碳化硅(SiC) MOSFET “TW070J120B”。该产品面向大容量电源等工业应用，于即日起出货。

该功率MOSFET采用新材料SiC，与常规的硅(Si) MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，因此有利于降低功耗，精简系统。

这款新器件采用可提高SiC MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计^[1]生产，具有低输入电容、低栅输入电荷、低漏源导通电阻等特性。与东芝的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT) “GT40QR21”相比，其关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）大约缩短70%，并且能够在不超过20A的漏极电流下提供低导通电压^[2]。

其栅阈值电压设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于降低故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的SiC肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这款新型MOSFET将不仅通过降低功耗来达到提高效率的目的，而且也有助于缩小设备尺寸。

注释：
[1] 东芝于2020年7月30日发布的新闻：“东芝的新器件结构提高SiC MOSFET的可靠性”
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[2] 环境温度25°C

应用场景

• 大容量AC-DC转换器
• 光伏逆变器
• 大容量双向DC-DC转换器

特性

• 第二代芯片设计（内置SiC SBD）
• 高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：

　　 V_DSS=1200V，C_iss=1680pF（典型值），Q_g=67nC（典型值），R_DS(ON)=70mΩ（典型值），V_DSF=-1.35V（典型值），V_th=4.2～5.8V

• 易于操作的增强类型

主要规格

（除非另有说明，Ta=25℃）
器件 型号	封装	绝对最大额定值		电气特性					库存查询与供货
		漏源 电压 VDSS (V)	漏极电流 (DC) ID Tc=25℃时 (A)	漏源 导通电阻 RDS(ON) 典型值 VGS=20V时 (mΩ)	栅阈值电压 Vth VDS=10V， ID=20mA时 (V)	总栅电荷 Qg 典型值 (nC)	输入电容 Ciss 典型值 (pF)	二极管正向电压 VDSF 典型值 IDR=10A, VGS=-5V 时 (V)
TW070J120B	TO-3P(N)	1200	36.0	70	4.2至5.8	67	1680	-1.35	在线购买

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https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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