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东芝推出适用于高效率电源的1200V碳化硅MOSFET

original Toshiba: a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET TW070J120B for industrial equipment including large capacity power supply. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET TW070J120B for industrial equipment including large capacity power supply. (Graphic: Business Wire)

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出1200V碳化硅(SiC) MOSFET “TW070J120B”。该产品面向大容量电源等工业应用，于即日起出货。

该功率MOSFET采用新材料SiC，与常规的硅(Si) MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，因此有利于降低功耗，精简系统。

这款新器件采用可提高SiC MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计[1]生产，具有低输入电容、低栅输入电荷、低漏源导通电阻等特性。与东芝的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT) “GT40QR21”相比，其关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）大约缩短70%，并且能够在不超过20A的漏极电流下提供低导通电压[2]。

其栅阈值电压设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于降低故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的SiC肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这款新型MOSFET将不仅通过降低功耗来达到提高效率的目的，而且也有助于缩小设备尺寸。

注释：
[1] 东芝于2020年7月30日发布的新闻：“东芝的新器件结构提高SiC MOSFET的可靠性”
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[2] 环境温度25°C

应用场景

  • 大容量AC-DC转换器
  • 光伏逆变器
  • 大容量双向DC-DC转换器

特性

  • 第二代芯片设计（内置SiC SBD）
  • 高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：

　　 VDSS=1200V，Ciss=1680pF（典型值），Qg=67nC（典型值），RDS(ON)=70mΩ（典型值），VDSF=-1.35V（典型值），Vth=4.2～5.8V

  • 易于操作的增强类型

主要规格

（除非另有说明，Ta=25℃）

器件

型号

封装

绝对最大额定值

电气特性

库存查询与供货

漏源

电压

VDSS

(V)

漏极电流

(DC)

ID

Tc=25℃时

(A)

漏源

导通电阻

RDS(ON)

典型值

VGS=20V时

(mΩ)

栅阈值电压

Vth

VDS=10V，

ID=20mA时

(V)

总栅电荷

Qg

典型值

(nC)

输入电容

Ciss 典型值 (pF)

二极管正向电压

VDSF

典型值

IDR=10A,

VGS=-5V 时

(V)

TW070J120B

TO-3P(N)

1200

36.0

70

4.2至5.8

67

1680

-1.35

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https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来，公司已跻身领先的通用设备公司之列，并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的2.4万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元（68亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全球人类创造更加美好的未来。
有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多详情，请访问：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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