-

东芝推出行业首款能够在2.2V电压下工作的高速通信光电耦合器

―支持低压外围电路并减少零部件数量―

original Toshiba: Industry's first photocouplers TLP2312 and TLP2372 for high-speed communications that can operate with a power supply as low as 2.2V. (Photo: Business Wire)

Toshiba: Industry's first photocouplers TLP2312 and TLP2372 for high-speed communications that can operate with a power supply as low as 2.2V. (Photo: Business Wire)

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出行业首款[1]能够在低至2.2V电压下工作的高速通信光电耦合器。这两款器件分别是典型数据传输率为5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。 出货于即日起启动。

新产品能在低至2.2V的低电压下工作，因此能够适应外围电路的较低电压，甚至能配合诸如2.5V LVCMOS这样的低电平电压电路使用。这种方法无需使用单独的电源驱动光电耦合器，从而能够减少元件数量。

新的光电耦合器在-40℃至+125℃工作温度范围内的阈值输入电流低至1.6mA（最大值），供电电流低至0.5mA（最大值），能够直接通过微控制器来驱动，有助于降低功耗。

新的光电耦合器采用5引脚SO6封装，最大封装高度仅为2.3毫米，为印刷电路板上的元件布局提供了更大的灵活性。

应用场景

高速数字接口
（ 可编程逻辑控制器(PLC)、通用变频器、测量设备和控制设备等）

特性

  • 低工作电压：VDD＝2.2V至5.5V
  • 低阈值输入电流：IFLH＝1.6mA（最大值）
  • 低供电电流：IDDH、IDDL＝0.5mA（最大值）
  • 高额定工作温度：Topr最大值＝125℃
  • 高速数据传输率：
    5Mbps（典型值）(TLP2312)
    20Mbps（典型值） (TLP2372)

主要规格

（除非另有说明，Ta= -40 to +125℃时）

器件型号

TLP2312

TLP2372

数据传输率典型值(Mbps)

5

20

封装

名称

5引脚SO6

最大高度（毫米）

2.3

绝对

最大

额定值

工作温度Topr最大值(℃)

125

输出电流IO (mA)

Ta=25℃时

8

工作

范围

供电电压VDD (V)

2.2至5.5

电气

特性

供电电流IDDH、IDDL最大值(mA)

0.5

阈值输入电流(L/H) IFLH最大值(mA)

1.6

开关

特性

传播延迟时间tpHL、tpLH最大值(ns)

250

60[2]

共模瞬态抑制

CMH、CML最小值(kV/μs)

Ta=25℃时

±20

隔离

特性

隔离电压BVS最小值(Vrms)

Ta=25℃时

3750

库存查询和供货

在线购买

在线购买

注释：
[1] 根据东芝2020年6月调查，在高速通信IC输出光电耦合器产品中。
[2] VIN=2.5V、RIN=470Ω、CIN=68pF时

如需获取有关新产品的更多信息，请点击以下链接：
TLP2312
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP2312
TLP2372
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP2372

如需获取有关东芝光学半导体器件系列的更多信息，请点击以下链接。
光学半导体器件
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/optoelectronics.html

如需查看在线分销商处新产品的供货情况，请访问：
TLP2312
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP2312.html
TLP2372
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP2372.html

客户垂询
光电子器件销售与营销部
电话：+81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本新闻稿中的信息，包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况，如有变动，恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来，公司已跻身领先的通用设备公司之列，并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的2.4万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元（68亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全球人类创造更加美好的未来。
有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多详情，请访问：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询：
东芝电子元件及存储装置株式会社
数字营销部
Chiaki Nagasawa
电话：+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Industry:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Release Versions
EnglishChinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

媒体垂询：
东芝电子元件及存储装置株式会社
数字营销部
Chiaki Nagasawa
电话：+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出双通道标准数字隔离器，助力工业设备实现稳定高速隔离数据传输

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")面向工业设备推出了四款双通道高速标准数字隔离器。全新“DCL52xx00系列”产品具备100kV/μs（典型值）[1]的高共模瞬态抗扰度(CMTI)和150Mbps（最大值）[2]的高速数据速率，可支持设备稳定运行。产品发货自即日起开始。 “DCL520C00”和“DCL520D00”采用两个正向通道的通道配置，“DCL521C00”和“DCL521D00”则为一个正向通道和一个反向通道。这些全新双通道产品与此前发布的“DCL54xx01系列”四通道产品共同构成面向工业设备的标准数字隔离器产品线。随着这些新产品的加入，Toshiba的整体产品线现已涵盖14款产品，提供丰富的通道配置选择，有助于提升设计灵活性。 全新DCL52xx00系列产品采用Toshiba专有的磁耦合式隔离传输方法，可实现与DCL54xx01系列产品相同的100kV/μs（典型值）的高CMTI。这一特性可大幅提升隔离信号传输...

Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET，以提升工业设备开关电源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。 100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上，优化了漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)及二者的权衡特性(RDS(ON) × Qg)，从而降低了传导损耗和开关损耗。 与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低约8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。通过应用寿命控制技术[2]，该产品还实现了高速体二极管性能，减少了反向恢复电荷(Qrr)并抑制了尖峰电压。Qrr改善约38%，RDS(ON) × Qrr也改善约43%。这些行业领先的[3]权衡特性[4]（R...

Toshiba推出TOLL封装650V第三代SiC MOSFET

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。 新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，器件体积减少80%以上，设备功率密度也得以改善。 TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装，可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响，实现高速开关性能；以TW048U65C为例，其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%...
Back to Newsroom