-

東芝推出業界首款能夠在2.2V電壓下工作的高速通訊光電耦合器

―支援低壓週邊電路並減少零組件數量―

original Toshiba: Industry's first photocouplers TLP2312 and TLP2372 for high-speed communications that can operate with a power supply as low as 2.2V. (Photo: Business Wire)

Toshiba: Industry's first photocouplers TLP2312 and TLP2372 for high-speed communications that can operate with a power supply as low as 2.2V. (Photo: Business Wire)

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）推出業界首款[1]能夠在低至2.2V電壓下工作的高速通訊光電耦合器。這兩款元件分別是典型資料傳輸率為5Mbps的TLP2312和20Mbps的TLP2372。出貨於即日起啟動。

新產品能在低至2.2V的低電壓下工作，因此能夠適應週邊電路的較低電壓，甚至能配合諸如2.5V LVCMOS這樣的低電平電壓電路使用。這種方法無需使用單獨的電源驅動光電耦合器，從而能夠減少元件數量。

新的光電耦合器在-40℃至+125℃工作溫度範圍內的閾值輸入電流低至1.6mA（最大值），供電電流低至0.5mA（最大值），能夠直接通過微控制器來驅動，有助於降低功耗。

新的光電耦合器採用5引腳SO6封裝，最大封裝高度僅為2.3毫米，為印刷電路板上的元件布局提供了更大的靈活性。

應用場景

高速數位介面
（ 可程式化邏輯控制器(PLC)、通用變頻器、測量設備和控制設備等）

特性

  • 低工作電壓：VDD＝2.2V至5.5V
  • 低閾值輸入電流：IFLH＝1.6mA（最大值）
  • 低供電電流：IDDH、IDDL＝0.5mA（最大值）
  • 高額定工作溫度：Topr最大值＝125℃
  • 高速資料傳輸率：
    5Mbps（典型值）(TLP2312)
    20Mbps（典型值） (TLP2372)

主要規格

（除非另有說明，Ta= -40 to +125℃時）

元件型號

TLP2312

TLP2372

資料傳輸率典型值(Mbps)

5

20

封裝

名稱

5引腳SO6

最大高度（毫米）

2.3

絕對

最大

額定值

工作溫度Topr最大值(℃)

125

輸出電流IO (mA)

Ta=25℃時

8

工作

範圍

供電電壓VDD (V)

2.2至5.5

電氣

特性

供電電流IDDH、IDDL最大值(mA)

0.5

閾值輸入電流(L/H) IFLH最大值(mA)

1.6

開關

特性

傳播延遲時間tpHL、tpLH最大值(ns)

250

60[2]

共模瞬態抑制

CMH、CML最小值(kV/μs)

Ta=25℃時

±20

隔離

特性

隔離電壓BVS最小值(Vrms)

Ta=25℃時

3750

庫存查詢和供貨

線上購買

線上購買

注釋：
[1] 根據東芝2020年6月調查，在高速通訊IC輸出光電耦合器產品中。
[2] VIN=2.5V、RIN=470Ω、CIN=68pF時

如需有關新產品的更多資訊，請按以下連結：
TLP2312
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP2312
TLP2372
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP2372

如需有關東芝光學半導體元件系列的更多資訊，請按以下連結。
光學半導體元件
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/optoelectronics.html

如需查看線上經銷商處新產品的供貨情況，請造訪：
TLP2312
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP2312.html
TLP2372
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP2372.html

客戶詢問
光電子元件銷售與行銷部
電話：+81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本新聞稿中的資訊，包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況，如有變動，恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一身。自2017年7月成為一家獨立公司以來，公司已躋身領先的通用設備公司之列，並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD解決方案。

公司遍布全球的2.4萬名員工同心同德，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。公司期待在目前超過7500億日圓（68億美元）的年度銷售額基礎上再接再厲，為全球人類創造更加美好的未來。
有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社的更多詳情，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體詢問：
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
數位行銷部
Chiaki Nagasawa
電話：+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Industry:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Release Versions
EnglishChinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

媒體詢問：
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
數位行銷部
Chiaki Nagasawa
電話：+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出雙通道標準數位隔離器，協助工業裝置實現穩定高速隔離資料傳輸

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")針對工業裝置推出了四款雙通道高速標準數位隔離器。全新「DCL52xx00系列」產品具備100kV/μs（典型值）[1]的高共模暫態耐受性(CMTI)和150Mbps（最大值）[2]的高速資料速率，可支援裝置穩定運行。產品出貨自即日起開始。 「DCL520C00」和「DCL520D00」採用兩個正向通道的通道設定，「DCL521C00」和「DCL521D00」則為一個正向通道和一個反向通道。這些全新雙通道產品與此前發表的「DCL54xx01系列」四通道產品共同構成針對工業裝置的標準數位隔離器產品線。隨著這些新產品的加入，Toshiba的整體產品線現已涵蓋14款產品，提供豐富的通道設定選擇，有助於提升設計靈活性。 全新DCL52xx00系列產品採用Toshiba專有的磁耦合式隔離傳輸方法，可實現與DCL54xx01系列產品相同的100kV/μs（典型值）的高CMTI。這一特性可大幅提升隔離訊號傳輸...

Toshiba推出採用最新一代製程技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業裝置開關電源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了「TPH2R70AR5」——一款採用Toshiba最新一代製程U-MOS11-H[1]製造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括資料中心和通訊基地台所用工業裝置的開關電源。產品出貨自即日起開始。 100V U-MOS11-H系列在Toshiba現有U-MOSX-H系列製程的基礎上，改進了漏源導通電阻(RDS(ON))、總閘極電荷(Qg)及二者的權衡特性(RDS(ON) × Qg)，從而降低了傳導損耗和開關損耗。 相較U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低約8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。透過應用壽命控制技術[2]，該產品還實現了高速體二極體效能，減少了反向恢復電荷(Qrr)並抑制了尖峰電壓。Qrr改善約38%，RDS(ON) × Qrr也改善約43%。這些業界領先的[3]權衡特性[4]（R...

Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET)，搭載最新[1] 第三代SiC MOSFET晶片，並採用表面黏著TOLL封裝。這些新元件適用於工業裝置，如開關式電源和用於太陽能光電發電機的功率調節器。「TW027U65C」、「TW048U65C」和「TW083U65C」這三款MOSFET即日起開始批量出貨。 新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中採用通用表面黏著TOLL封裝的型號，相較TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝，元件體積減少80%以上，裝置功率密度也得以改善。 TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2]，有助於降低開關損耗。其為四端子[3]封裝，可將開爾文連接用作閘極驅動的訊號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響，實現高速開關效能；以TW048U65C為例，其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品[5]降低約55%和25%...
Back to Newsroom