東芝的新型100V N溝道功率MOSFET有助於降低汽車設備的功耗

- 推出採用東芝最新一代製程的U-MOS X-H系列 -

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）發布XK1R9F10QB，這是一款100V N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，適用於汽車的48V設備應用，例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。

這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品，採用該公司的最新^[1]一代製程製造。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝安裝，提供業界領先的低導通電阻^[2]，最大導通電阻為1.92mΩ，與當前的TK160F10N1L相比下降約20%。這一進步有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化，它還提供更低的開關雜訊，從而有助於降低設備的EMI^[3]。 此外，將閾值電壓寬縮小至1V，可以增強並聯時的開關同步性。

應用場合
汽車設備（負載開關、開關電源和馬達驅動等）

特性
・採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET
・業界領先的低導通電阻
　　V_GS=10V時，R_DS(ON)=1.92mΩ（最大值）
・符合AEC-Q101要求

主要規格

（Ta=25°C時）
產品型號	極性	絕對最大額定值				漏源 導通電阻 RDS(ON)最大值 (mΩ)		溝道 到管殼的熱阻 Zth(ch-c) 最大值 (℃/W)	封裝	系列
		漏源電壓 VDSS (V)	漏電流 （直流） ID (A)	漏 電流 （脈衝） IDP (A)	溝道溫度 Tch (℃)	VGS =6V時	VGS =10V時
XK1R9F10QB	N溝道	100	160	480	175	3.31	1.92	0.4	TO-220SM(W)	U-MOS X-H

注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 與具有相同VDSS最大額定值和封裝等級的產品進行比較；根據東芝調查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（電磁干擾）

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