东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗

- 推出采用东芝最新一代工艺的U-MOS X-H系列 -

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）发布“XK1R9F10QB”，这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，适用于汽车的48V设备应用，例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。

这款新产品是东芝采用槽形结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品，采用该公司的最新^[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM(W)封装安装，提供业界领先的低导通电阻^[2]，最大导通电阻为1.92mΩ，与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化，它还提供更低的开关噪声，从而有助于降低设备的EMI^[3]。 此外，将阈值电压宽缩小至1V，可以增强并联时的开关同步性。

应用场合
汽车设备（负载开关、开关电源和电机驱动等）

特性
・采用槽形结构的U-MOS X-H系列MOSFET
・业界领先的低导通电阻
　　V_GS=10V时，R_DS(ON)=1.92mΩ（最大值）
・符合AEC-Q101要求

主要规格

（Ta=25°C时）
产品型号	极性	绝对最大额定值				漏源 导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ)		沟道 到管壳的热阻 Zth(ch-c) 最大值 (℃/W)	封装	系列
		漏源电压 VDSS (V)	漏电流 （直流） ID (A)	漏 电流 （脉冲） IDP (A)	沟道温度 Tch (℃)	VGS =6V时	VGS =10V时
XK1R9F10QB	N沟道	100	160	480	175	3.31	1.92	0.4	TO-220SM(W)	U-MOS X-H

注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较； 根据东芝调查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（电磁干扰）

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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