東芝：車載機器の低消費電力化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETについて

～最新世代プロセスを採用した「U-MOS X-Hシリーズ」発売～

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売しました。１月から量産・出荷を開始しています。

新製品は、当社の最新世代プロセス^[注1]を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」初の製品です。低抵抗パッケージのTO-220SM(W)に搭載することにより業界トップクラス^[注2]の低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品「TK160F10N1L」と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。さらに、MOS構造の最適化によりスイッチングノイズが少なく、機器のEMI^[注3]の低減に貢献できます。また、しきい値電圧幅を1Vに抑え、並列使用時のスイッチング同期性を高めています。

応用機器
車載機器　(ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど)

新製品の主な特長
・当社の最新世代プロセス^[注1] を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」
・業界トップクラス^[注2]の低オン抵抗
　　R_DS(ON)=1.92mΩ (max) ＠V_GS=10V
・AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

(@Ta=25°C)
品番	極性	絶対最大定格				ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)		チャネル・ ケース間 過渡熱 インピーダンス Zth(ch-c) max (℃/W)	パッケージ	シリーズ
		ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V)	ドレイン 電流 (DC) ID (A)	ドレイン 電流 (パルス) IDP (A)	チャネル 温度 Tch (℃)	@VGS =6V	@VGS =10V
XK1R9F10QB	Nチャネル	100	160	480	175	3.31	1.92	0.4	TO-220SM(W)	U-MOS X-H

[注1] 2020年2月25日時点
[注2] 同耐圧の製品、同一パッケージクラスにおいて。当社調べ (2020年2⽉25日時点) によるものです。
[注3] EMI (Electro Magnetic Interference): 電磁妨害

新製品の詳細については、下記ページをご覧ください。
XK1R9F10QB
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html

当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/automotive/automotive-mosfet.html

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パワーデバイス営業推進部
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