-

Kioxia将展出适用于AI工作负载、支持CXL™的KIOXIA XL1系列内存扩展模块

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布,将在8月4日至6日于加州圣克拉拉举办的FMS:未来内存与存储展Kioxia展位上,展出支持Compute Express Link™ (CXL™)的KIOXIA XL1系列内存扩展模块。该产品搭载KIOXIA XL-FLASH™低延迟、高性能闪存技术,使传统上用于存储应用的闪存也能作为内存扩展解决方案使用。此外,该产品在设计研发阶段便旨在支持日益增长的内存密集型AI应用。评估样品计划于2026年8月向行业生态合作伙伴发货。

近年来,AI工作负载的不断增加使数据中心的内存需求大幅上升,带来了容量短缺和成本上升等严峻挑战。为响应这一重要市场需求,Kioxia致力于为超大规模环境打造创新的内存扩展解决方案。KIOXIA XL1系列内存扩展模块将低延迟、高性能的XL-FLASH™与CXL™接口相结合,通过将访问频率较低的数据存放在该模块上,提升了DRAM的利用效率。它填补了传统DRAM和固态硬盘之间的性能与成本鸿沟,为要求苛刻的AI应用提供了内存扩展能力。

注:样品驱动器仅供评估使用。部分功能可能尚未经过全面测试,且规格参数可能会发生更改。

相关链接:
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/xlflash.html

Compute Express Link和CXL是Compute Express Link Consortium, Inc.的商标。
其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从1987年发明了NAND闪存的公司Toshiba Corporation剥离出来。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

*本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)在公告发布之日是正确的,但如有更改,恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia与Sandisk将在日本投资超过310亿美元,巩固存储行业领先地位

东京和加州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK)今日宣布,拟在日本进行重大投资,总额超过310亿美元(约合5万亿日元),具体实施以政府支持为前提。持续至2032年的投资将继续巩固Kioxia与Sandisk的合作伙伴关系——这是跨行业领域最成功的合资企业之一。该合作推动了NAND闪存领域数十年的技术创新,并于过去25年间在日本累计投资超过500亿美元(约合9万亿日元)。Kioxia与Sandisk将继续提供领先技术,以满足AI和数据驱动世界日益增长的需求。 此次投资将顺应市场趋势,支持四日市工厂和北上工厂的持续基础设施建设,以及相关基础设施与技术升级。Kioxia与Sandisk均承诺推动有意义的多年期比特量增长,并确保稳定供应,以应对市场对其创新闪存技术的强劲需求。基于上述承诺,此次宣布的投资旨在助力合资企业取得长期成功,提升其规模化、稳定交付前沿闪存创新成...

Kioxia将在北上工厂新建Fab3以扩大3D闪存产能

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今日宣布,已启动位于日本岩手县北上工厂的全新先进制造设施Fab3的场地准备及其他相关建设工作,以扩大其先进三维闪存BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧地块,预计将于2029财年开始运营。 在智能体AI、物理AI和设备端AI的驱动下,闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。通过建设Fab3,Kioxia旨在扩大生产并确保尖端闪存产品的稳定供应,从而满足不断增长的市场需求。 Fab3的建设进度和设备投资等详细计划将根据市场趋势确定。Fab3的投资计划取决于政府的支持。 秉承“提升世界的‘记忆’”的使命,Kioxia将继续致力于把握不断增长的需求、进行战略性资本投资,并追求稳健和可持续的增长。 免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。...

KIOXIA GP系列超高IOPS SSD荣获2026年FMS:未来内存与存储展“最佳展品”大奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其KIOXIA GP系列PCIe® NVMe™ SSD已荣获FMS:未来内存与存储展“专业存储”类别的“最佳展品”大奖。“最佳展品”奖旨在表彰卓越的产品与解决方案,嘉奖那些正在塑造内存与存储行业未来的企业与技术。 KIOXIA GP1 PCIe 6.0 SSD是GP系列的一员,专为AI基础设施打造,也是业界首款*1专为GPU直接访问优化的超高IOPS PCIe® SSD。它搭载了KIOXIA XL-FLASH™第二代低延迟闪存,在512字节数据访问下可提供高达1000万随机读取IOPS*2,让闪存能够作为高性能内存扩展层,帮助提升AI工作负载的GPU利用率。 未来内存与存储展大会总监George Mullins表示:“随着AI基础设施不断演进,存储正成为下一代系统架构的关键推动因素。KIOXIA GP系列体现了KIOXIA在闪存和AI存储技术上的持续创新。通过以前瞻性的存储架构满足新兴的AI基础设施需求,KIOXIA GP系列荣获今年FMS‘专业存储’类别的‘最佳展品’奖可谓实...
Back to Newsroom