-

Kioxia将展出适用于AI工作负载、支持CXL™的KIOXIA XL1系列内存扩展模块

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布,将在8月4日至6日于加州圣克拉拉举办的FMS:未来内存与存储展Kioxia展位上,展出支持Compute Express Link™ (CXL™)的KIOXIA XL1系列内存扩展模块。该产品搭载KIOXIA XL-FLASH™低延迟、高性能闪存技术,使传统上用于存储应用的闪存也能作为内存扩展解决方案使用。此外,该产品在设计研发阶段便旨在支持日益增长的内存密集型AI应用。评估样品计划于2026年8月向行业生态合作伙伴发货。

近年来,AI工作负载的不断增加使数据中心的内存需求大幅上升,带来了容量短缺和成本上升等严峻挑战。为响应这一重要市场需求,Kioxia致力于为超大规模环境打造创新的内存扩展解决方案。KIOXIA XL1系列内存扩展模块将低延迟、高性能的XL-FLASH™与CXL™接口相结合,通过将访问频率较低的数据存放在该模块上,提升了DRAM的利用效率。它填补了传统DRAM和固态硬盘之间的性能与成本鸿沟,为要求苛刻的AI应用提供了内存扩展能力。

注:样品驱动器仅供评估使用。部分功能可能尚未经过全面测试,且规格参数可能会发生更改。

相关链接:
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/xlflash.html

Compute Express Link和CXL是Compute Express Link Consortium, Inc.的商标。
其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从1987年发明了NAND闪存的公司Toshiba Corporation剥离出来。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

*本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)在公告发布之日是正确的,但如有更改,恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia推出首款采用最新BiCS FLASH™第十代闪存的PCIe ® 6.0企业级固态硬盘

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布推出KIOXIA CM10系列固态硬盘(SSD),该系列产品搭载了公司最新的BiCS FLASH™第十代TLC闪存。新款固态硬盘专为要求苛刻的企业级和AI工作负载(包括AI推理和上下文缓存)而设计,不仅支持NVIDIA CMX™架构,而且相较于上一代产品,在性能、能效和散热灵活性方面实现了显著提升(1)。 KIOXIA CM10系列是Kioxia的首款PCIe® 6.0企业级固态硬盘,具备直接冷板液冷能力,可为下一代AI基础设施提供更高效的散热部署方案。与上一代产品相比(1),KIOXIA CM10系列的顺序读取性能最高提升约92%,随机读取性能最高提升约85%,有助于加速数据密集型AI推理和企业级应用,同时提高系统整体效率。 随着AI模型规模持续向万亿级参数迈进,上下文窗口扩展至数百万个词元,市场对高性能上下文缓存存储的需求正迅速增长。NVIDIA CMX™等架构通过利用超高速闪存存储,将内存层级扩展至GPU内存之外,使企业级固态硬盘成为AI基础设施中日益重要的组成部分。KIO...

Kioxia启动第九代BiCS FLASH™ 1Tb TLC器件样品出货

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布,已启动采用第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb三级单元(TLC)存储器件的样品出货1。这些器件专为需要高性能的中低存储容量应用而设计,例如支持AI的PC和智能手机。 Kioxia继续依托其创新的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术2和同间距选择栅极漏极(OPS)技术3来推进双轴战略。在独特的双轴战略指导下,Kioxia正同步推进两条不同的产品线:一是以相对较低的投资成本实现高性能的第九代解决方案;二是利用先进层堆叠技术实现超大容量和卓越性能的第十代技术。 这款全新的第九代BiCS FLASH™ 1Tb TLC器件基于第八代BiCS FLASH™技术和先进CMOS技术,采用230层堆叠工艺开发。其NAND接口速度达到4.8Gb/s,较第八代器件提升33%,性能与第十代器件持平4。 秉持“用‘记忆’让世界更美好”的使命,Kioxia将继续致力于推动技术创新,加强全球合作伙伴关系,并提供驱动现代AI基础设施的先进存储解决方案。 这些样品旨在...

Kioxia推出全新UFS 5.0嵌入式闪存设备,赋能端侧AI

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今日宣布推出UFS(1) 5.0嵌入式闪存解决方案,旨在为下一代具备AI功能的移动端和边缘设备提供所需的性能、能效和容量。该全新解决方案将于下周在FMS:未来内存与存储展上进行展示,目前提供1 TB和512 GB容量的商业样品。量产预计将于2026年底开始。 Kioxia的这款全新设备基于最新的JEDEC UFS 5.0标准打造,采用MIPI M-PHY v6.0物理层和UniPro v3.0协议(包括HS-Gear6运行模式),支持每通道高达46.6 Gb/s的理论接口速度,以及约10.8 GB/s的双通道有效读写性能。 随着AI工作负载不断向设备端转移,存储性能变得愈发重要。大语言模型、多模态AI、高级成像和实时推理等功能,要求数据在存储与计算单元之间实现显著更快的传输。在此之前,UFS的读取性能一直是制约日益复杂的端侧AI发展的瓶颈,限制了大语言模型及其他AI工作负载访问数据的速度。Kioxia的UFS 5.0有助于消除这些瓶颈,与UFS 4.1相比,能...
Back to Newsroom