-

Kioxia推出首款采用最新BiCS FLASH™第十代闪存的PCIe ® 6.0企业级固态硬盘

KIOXIA CM10系列固态硬盘支持直接液冷:为AI工作负载带来全新性能与能效水平

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布推出KIOXIA CM10系列固态硬盘(SSD),该系列产品搭载了公司最新的BiCS FLASH™第十代TLC闪存。新款固态硬盘专为要求苛刻的企业级和AI工作负载(包括AI推理和上下文缓存)而设计,不仅支持NVIDIA CMX™架构,而且相较于上一代产品,在性能、能效和散热灵活性方面实现了显著提升(1)

KIOXIA CM10系列是Kioxia的首款PCIe® 6.0企业级固态硬盘,具备直接冷板液冷能力,可为下一代AI基础设施提供更高效的散热部署方案。与上一代产品相比(1),KIOXIA CM10系列的顺序读取性能最高提升约92%,随机读取性能最高提升约85%,有助于加速数据密集型AI推理和企业级应用,同时提高系统整体效率。

随着AI模型规模持续向万亿级参数迈进,上下文窗口扩展至数百万个词元,市场对高性能上下文缓存存储的需求正迅速增长。NVIDIA CMX™等架构通过利用超高速闪存存储,将内存层级扩展至GPU内存之外,使企业级固态硬盘成为AI基础设施中日益重要的组成部分。KIOXIA CM10系列专为满足这些不断演进的需求而设计,具备大规模AI部署所需的性能、容量和耐用性。

KIOXIA CM10系列的主要特性包括:

  • 符合PCIe 6.0、NVMe™ 2.1以及开放计算项目(OCP)数据中心NVMe SSD 2.7版规范(2),并支持NVMe灵活数据放置(FDP)
  • 提供E3.S、E1.S和2.5英寸(3)规格,其中E3.S和E1.S 9.5mm规格支持冷板液冷(所有规格均支持传统风冷环境)
  • 容量从1.60 TB到61.44 TB不等(因规格而异),提供读取密集型(1 DWPD)和混合用途(3 DWPD)两种耐用性选项
  • 采用业界领先的KIOXIA BiCS FLASH™第十代(332层)闪存,全面提升固态硬盘的性能与能效
  • 安全选项包括SIE、SED、SED FIPS 140-3(计划推出)、CNSA 2.0推荐的后量子加密技术,以及支持SPDM 1.4认证

KIOXIA CM10系列固态硬盘目前正在向部分客户提供样品(4),并将在8月4日至6日于加州圣克拉拉举行的FMS:未来内存与存储展上亮相。

注:
(1):与KIOXIA CM9系列固态硬盘相比
(2):并非支持OCP数据中心NVMe SSD 2.7版规范的所有要求
(3):2.5英寸规格产品符合PCIe 5.0标准,采用BiCS FLASH™第八代TLC闪存
(4):这些样品仅用于功能检验,其规格可能与量产版本存在差异

2.5英寸为规格名称,并非实际物理尺寸。

读写速度可能因主机设备、软件(驱动程序、操作系统等)和读写条件等多种因素而有所不同。

容量定义:Kioxia Corporation将兆字节(MB)定义为1,000,000字节,千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节,太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节。然而,计算机操作系统使用2的幂次方来报告存储容量,即1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节,1TB = 2^40字节 = 1,099,511,627,776字节,因此显示的存储容量较少。可用存储容量(包括各种媒体文件的示例)将根据文件大小、格式、设置、软件和操作系统,以及/或者预装的软件应用程序或媒体内容而异。实际格式化容量可能会有所不同。

DWPD:每日全盘写入次数。每天一次全盘写入是指在指定工作负载下,驱动器在指定使用寿命内每天可进行一次全盘容量的写入和重写。实际结果可能因系统配置、使用情况和其他因素而异。

SED可选型号支持TCG Opal SSC,某些功能除外。
由于当地法规,SED可选型号并非在所有国家有售。

NVIDIA是NVIDIA Corporation在美国和其他国家的商标和/或注册商标。

NVMe是NVM Express, Inc.在美国和其他国家的注册或未注册商标。

OCP和OPEN COMPUTE PROJECT标志归Open Compute Project Foundation所有,并经其许可使用。

PCIe是PCI-SIG的注册商标。

其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

*本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)在公告发布之日是正确的,但如有更改,恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia与Sandisk将在日本投资超过310亿美元,巩固存储行业领先地位

东京和加州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK)今日宣布,拟在日本进行重大投资,总额超过310亿美元(约合5万亿日元),具体实施以政府支持为前提。持续至2032年的投资将继续巩固Kioxia与Sandisk的合作伙伴关系——这是跨行业领域最成功的合资企业之一。该合作推动了NAND闪存领域数十年的技术创新,并于过去25年间在日本累计投资超过500亿美元(约合9万亿日元)。Kioxia与Sandisk将继续提供领先技术,以满足AI和数据驱动世界日益增长的需求。 此次投资将顺应市场趋势,支持四日市工厂和北上工厂的持续基础设施建设,以及相关基础设施与技术升级。Kioxia与Sandisk均承诺推动有意义的多年期比特量增长,并确保稳定供应,以应对市场对其创新闪存技术的强劲需求。基于上述承诺,此次宣布的投资旨在助力合资企业取得长期成功,提升其规模化、稳定交付前沿闪存创新成...

Kioxia将在北上工厂新建Fab3以扩大3D闪存产能

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今日宣布,已启动位于日本岩手县北上工厂的全新先进制造设施Fab3的场地准备及其他相关建设工作,以扩大其先进三维闪存BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧地块,预计将于2029财年开始运营。 在智能体AI、物理AI和设备端AI的驱动下,闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。通过建设Fab3,Kioxia旨在扩大生产并确保尖端闪存产品的稳定供应,从而满足不断增长的市场需求。 Fab3的建设进度和设备投资等详细计划将根据市场趋势确定。Fab3的投资计划取决于政府的支持。 秉承“提升世界的‘记忆’”的使命,Kioxia将继续致力于把握不断增长的需求、进行战略性资本投资,并追求稳健和可持续的增长。 免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。...

KIOXIA GP系列超高IOPS SSD荣获2026年FMS:未来内存与存储展“最佳展品”大奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其KIOXIA GP系列PCIe® NVMe™ SSD已荣获FMS:未来内存与存储展“专业存储”类别的“最佳展品”大奖。“最佳展品”奖旨在表彰卓越的产品与解决方案,嘉奖那些正在塑造内存与存储行业未来的企业与技术。 KIOXIA GP1 PCIe 6.0 SSD是GP系列的一员,专为AI基础设施打造,也是业界首款*1专为GPU直接访问优化的超高IOPS PCIe® SSD。它搭载了KIOXIA XL-FLASH™第二代低延迟闪存,在512字节数据访问下可提供高达1000万随机读取IOPS*2,让闪存能够作为高性能内存扩展层,帮助提升AI工作负载的GPU利用率。 未来内存与存储展大会总监George Mullins表示:“随着AI基础设施不断演进,存储正成为下一代系统架构的关键推动因素。KIOXIA GP系列体现了KIOXIA在闪存和AI存储技术上的持续创新。通过以前瞻性的存储架构满足新兴的AI基础设施需求,KIOXIA GP系列荣获今年FMS‘专业存储’类别的‘最佳展品’奖可谓实...
Back to Newsroom