Kioxia lance la livraison d’échantillons de dispositifs BiCS FLASH™ de 10e génération, alliant hautes performances, grande capacité et faible consommation d’énergie

Production prévue à l’usine Fab2 de Kitakami

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui avoir lancé la livraison d’échantillons de dispositifs de mémoire Triple-Level-Cell (TLC) de 1 Tb (térabits) de type Triple-Level-Cell (TLC), utilisant sa technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 10e génération.¹ Ces dispositifs seront principalement intégrés dans les SSD d’entreprise et de centres de données de la société, renforçant ainsi la gamme de Kioxia afin de répondre à la demande croissante en matière de stockage pour l’IA, qui exige des performances plus élevées, une plus grande capacité et une consommation d’énergie réduite. Ces nouveaux produits seront fabriqués à l’aide d’équipements de pointe dans l’usine Fab2 de Kioxia située à Kitakami, dans la préfecture d’Iwate, au Japon.

En tirant parti des technologies innovantes CMOS directement soudées à la matrice (CBA)² et On-Pitch Select Gate Drain (OPS)³, toutes deux adoptées depuis la 8e génération de BiCS FLASH™, la technologie de 10e génération atteint une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gb/s⁴, soit une amélioration de 33 % par rapport à la 8e génération. La densité binaire a augmenté de 59 % grâce à l’empilement de 332 couches et à l’amélioration de la densité latérale. De plus, les rendements énergétiques en écriture et en lecture se sont améliorés respectivement de 18 % et 30 %⁵, ce qui contribue à réduire la consommation d’énergie dans les centres de données et les infrastructures d’entreprise.

Dans le cadre de sa stratégie unique à deux axes, Kioxia développe simultanément deux gammes de produits distinctes : ses solutions de 9e génération, qui offrent des performances élevées pour un coût d’investissement relativement faible, et sa technologie de 10e génération, qui exploite un empilement avancé des couches pour atteindre une capacité massive et des performances supérieures.

Guidée par sa mission consistant à « faire progresser le monde grâce à la "mémoire" », Kioxia reste déterminée à stimuler l’innovation technologique, à renforcer ses partenariats mondiaux et à fournir les solutions de stockage avancées qui alimentent les infrastructures modernes d’IA.

1. Ces échantillons sont destinés à des tests de fonctionnement et leurs spécifications peuvent différer de celles de la production en série.
2. Technologie dans laquelle chaque plaquette CMOS et chaque plaquette de matrice de cellules sont fabriquées séparément dans des conditions optimisées, puis assemblées.
3. Technologie permettant de raccourcir la ligne de bits et de réduire la capacité de la ligne de mots en supprimant les trous de mémoire inutilisés.
4. 1 Gb/s correspond à 1 000 000 000 bits/seconde. Cette valeur a été obtenue dans un environnement de test spécifique chez Kioxia Corporation et peut varier en fonction des conditions d’utilisation.
5. L’efficacité énergétique lors du transfert de données a également été prise en compte.

Remarques :

• La densité du produit est déterminée en fonction de la densité des puces mémoire qu’il contient, et non de la capacité de mémoire disponible pour le stockage de données par l’utilisateur final. La capacité utilisable par l’utilisateur sera inférieure en raison des zones de données de gestion, du formatage, des blocs défectueux et d’autres contraintes, et peut également varier en fonction du périphérique hôte et de l’application. Pour plus de détails, veuillez vous reporter aux spécifications du produit concerné. 1 Go = 2^30 bits = 1 073 741 824 bits.
• Les vitesses de lecture et d’écriture correspondent aux meilleures valeurs obtenues dans un environnement de test spécifique chez Kioxia Corporation ; la société ne garantit ni les vitesses de lecture ni celles d’écriture sur les appareils individuels. Les vitesses de lecture et d’écriture peuvent varier en fonction de l’appareil utilisé.
• Les noms de sociétés, les noms de produits et les noms de services peuvent être des marques déposées de leurs sociétés respectives.
  

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À propos de Kioxia

Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, dédié au développement, à la production et à la vente de mémoire flash et de disques à semi-conducteurs (SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory a été séparé de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. Kioxia s’engage à améliorer le monde grâce à la « mémoire » en offrant des produits, des services et des systèmes qui créent un choix pour les clients et une valeur basée sur la mémoire pour la société. La technologie innovante de mémoire flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage dans les applications à haute densité, notamment les smartphones avancés, les PC, les systèmes automobiles, les centres de données et les systèmes d’IA générative.

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