Kioxia开始出货第十代BiCS FLASH™器件样品：具备高性能、大容量与低功耗特性

计划在北上工厂的Fab2投产

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布，已开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb（太比特）三层单元（TLC）存储器件样品¹。这些产品将主要集成到该公司的企业级和数据中心固态硬盘（SSD）中，以增强Kioxia的产品阵容，满足人工智能存储对更高性能、更大容量和更低功耗日益增长的需求。这些新产品将利用位于日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2设施中的尖端设备进行生产。

通过利用自第八代BiCS FLASH™起便已采用的创新型CMOS直接键合到存储阵列（CBA）技术²以及同节距选择栅漏极（OPS）技术³，第十代技术实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度⁴，较第八代提升了 33%。通过堆叠332层并提高横向密度，比特密度提高了59%。此外，写入和读取的能效分别提高了18%和30%⁵，有助于降低数据中心和企业级基础设施的功耗。

在其独特的双轴战略下，Kioxia正在同步推进两条不同的产品线：其一为第九代解决方案，旨在以相对较低的投资成本提供高性能；其二为第十代技术，通过利用先进的层堆叠技术来实现海量容量与卓越性能。

在“用‘记忆’提升世界”这一使命的引领下，Kioxia始终致力于推动技术创新、加强全球合作伙伴关系，并提供助力现代人工智能基础设施发展的先进存储解决方案。

1. 这些样品仅用于功能测试目的，样品的具体规格可能会与最终的量产版本有所不同。
2. 一种技术，其中每片CMOS晶圆和单元阵列晶圆均在各自最优的条件下分别制造，然后将它们键合在一起。
3. 一种技术，通过去除未使用的存储孔来缩短位线并降低字线电容。
4. 1Gb/s计算为1,000,000,000比特/秒。该数值是在Kioxia Corporation的特定测试环境下测得，实际数值可能会因使用条件而有所不同。
5. 还考虑了数据传输过程中的能效。

注：

• 产品密度根据产品内存储芯片的密度来确定，而非最终用户可用于数据存储的实际存储容量。由于管理数据区、格式化、坏块及其他限制因素，用户实际可用容量会低于标称值，且可能因主机设备和应用场景的不同而有所差异。详情请参阅相关产品规格说明。1Gb = 2^30位 = 1,073,741,824位。
• 读写速度是在Kioxia Corporation的特定测试环境下获得的最佳值；公司不对单个器件的读取或写入速度做出任何保证。实际读写速度可能会因所使用的设备而有所不同。
• 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
  

• 本公告旨在提供有关本公司业务的信息，并不构成亦不属于在任何司法管辖区内出售任何证券的要约或邀请，亦不构成购买、认购或以其他方式收购任何证券的要约邀请，亦不构成从事投资活动的诱因，且不得作为任何相关合同的基础，亦不得作为订立此类合同的依据。
• 本文件中的信息（包括产品价格和规格、服务内容及联系方式）在发布之日均属准确，但如有变更，恕不另行通知。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。

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