Toshiba推出採用最新一代製程技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業裝置開關電源效率
Toshiba推出採用最新一代製程技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業裝置開關電源效率
日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了「TPH2R70AR5」——一款採用Toshiba最新一代製程U-MOS11-H[1]製造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括資料中心和通訊基地台所用工業裝置的開關電源。產品出貨自即日起開始。
100V U-MOS11-H系列在Toshiba現有U-MOSX-H系列製程的基礎上，改進了漏源導通電阻(RDS(ON))、總閘極電荷(Qg)及二者的權衡特性(RDS(ON) × Qg)，從而降低了傳導損耗和開關損耗。
相較U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低約8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。透過應用壽命控制技術[2]，該產品還實現了高速體二極體效能，減少了反向恢復電荷(Qrr)並抑制了尖峰電壓。Qrr改善約38%，RDS(ON) × Qrr也改善約43%。這些業界領先的[3]權衡特性[4]（RDS(ON) × Qg和RDS(ON) × Qrr）將功率損耗降至最低，有助於提升電源系統的效率和功率密度。此外，它採用SOP Advance (N)封裝，與產業標準具有出色的安裝相容性。
Toshiba還提供電路設計支援工具：可快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，以及能精確再現瞬態特性的高精確度G2 SPICE模型。所有工具現已全面可用。
Toshiba將繼續擴充低損耗MOSFET產品線，協助打造更高效率的電源，為降低裝置功耗貢獻力量。
註：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低壓功率MOSFET製程技術之一。Toshiba調查。
[2] 壽命控制技術：透過利用離子束在半導體中引進缺失，有意縮短載流子壽命，從而提高開關速度，改善二極體的恢復速度並降低雜訊。
[3] 截至2025年9月，相較其他用於工業裝置的100V N溝道功率MOSFET。Toshiba調查。
[4] RDS(ON)×Qg : 120mΩ・nC（典型值），RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC（典型值）
應用領域
- 資料中心和通訊基地台所用工業裝置的電源
- 開關電源（高效DC-DC轉換器等）
產品特點
- 低漏源導通電阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低總閘極電荷：Qg=52nC（典型值）(VDD=50V, VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低反向恢復電荷：Qrr=55nC（典型值）(IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta＝25°C)
主要規格
（除非另有說明，否則Ta=25°C） |
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零件編號 |
||||
絕對
|
漏源電壓 VDSS (V) |
100 |
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漏極電流（直流）ID (A) |
Tc=25°C |
190 |
||
溝道溫度 Tch (°C) |
175 |
|||
電氣
|
漏源導通
|
VGS=10V, ID=50A |
最大值 |
2.7 |
VGS=8V, ID＝50A |
最大值 |
3.6 |
||
總閘極電荷
|
VDD=50V, VGS=10V,
|
典型值 |
52 |
|
閘極開關
|
典型值 |
17 |
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輸出電荷 Qoss
|
VDD=50V, VGS=0V,
|
典型值 |
106 |
|
輸入電容
|
VDS=50V, VGS=0V,
|
典型值 |
4105 |
|
反向恢復
|
IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs |
典型值 |
55 |
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封裝 |
名稱 |
SOP Advance(N) |
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尺寸(mm) |
典型值 |
5.15×6.1 |
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樣品檢查及供應情況 |
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