東芝：産業機器の高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス[注１]採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について
東芝：産業機器の高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス[注１]採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、当社最新世代プロセス[注1]「U-MOS11-H (ユー・モス・イレブン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH2R70AR5」を製品化し、本日から出荷を開始します。
100V系U-MOS11-Hシリーズは、当社従来世代プロセスU-MOSX-Hシリーズ に対し、ドレイン・ソース間のオン抵抗 (RDS(ON)) ならびにゲート入力電荷量 (Qg) とそのトレードオフ (RDS(ON)×Qg) を改善し、導通時とスイッチング時の両方の電力損失を低減しています。
新製品のTPH2R70AR5は、U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、RDS(ON)を約8%、Qgを約37%、RDS(ON)×Qgを約42%改善しています。
また、TPH2R70AR5はライフタイム制御技術[注2]の適用によりボディーダイオードを高速化することで、逆回復電荷量 (Qrr) およびスパイク電圧を低減しました。U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、Qrrを約38%、RDS(ON)×Qrrを約43%改善しています。
これら業界トップクラス[注3]のRDS(ON)×Qg、RDS(ON)×Qrrトレードオフ特性[注4]により、低損失を実現し、電源の高効率化、高電力密度化に貢献します。
なお、パッケージには、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)を採用しました。
回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるG0モデルのSPICEモデルに加えて、過渡特性の精度を高めたG2モデルのSPICEモデルも提供します。
当社は今後も、電源の効率を高めることができる低損失のMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献していきます。
[注1] 2025年9月時点、当社の低耐圧パワーMOSFET向けプロセスにおいて。当社調べ。
[注2] イオンビームを利用して半導体内部に意図的に欠陥を生成し、キャリアーライフタイムを短縮することで、デバイスのスイッチング速度を高速化します。これにより、ダイオードのリカバリー速度が向上し、ノイズが低減されます。
[注3] 2025年9月時点、産業機器向け100V耐圧NチャネルパワーMOSFETにおいて。当社調べ。
[注4] RDS(ON)×Qg：120mΩ・nC (typ)、RDS(ON)×Qrr：127mΩ・nC (typ)
応用機器
- データセンターや通信基地局などの産業機器用電源
- 高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源
新製品の主な特長
- 低いドレイン・ソース間オン抵抗 : RDS(ON)＝2.7mΩ (max) (VGS=10V、ID=50A、Ta＝25°C)
- 低いゲート入力電荷量 : Qg=52nC (typ.) (VDD=50V、VGS=10V、ID=50A、Ta＝25°C)
- 低い逆回復電荷量 : Qrr=55nC (typ.) (IDR＝50A、VGS=0V、-dIDR/dt=100A/μs、Ta＝25°C)
| 新製品の主な仕様 | ||||
(特に指定のない限り、Ta=25°C) |
||||
品番 |
||||
絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
100 |
||
ドレイン電流 (DC) ID (A) |
Tc=25°C |
190 |
||
チャネル温度 Tch (°C) |
175 |
|||
電気的特性 |
ドレイン・ソース間オン抵抗
|
VGS=10V、ID=50A |
Max |
2.7 |
VGS=8.V、ID＝50A |
Max |
3.6 |
||
ゲート入力電荷量 Qg (nC) |
VDD=50V、VGS=10V、ID=50A |
Typ. |
52 |
|
ゲートスイッチ電荷量 Qsw (nC) |
Typ. |
17 |
||
出力電荷量 Qoss (nC) |
VDD=50V、VGS=0V、f=1MHz |
Typ. |
106 |
|
入力容量 Ciss (pF) |
VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz |
Typ. |
4105 |
|
逆回復電荷量 Qrr (nC) |
IDR＝50A、VGS=0V、 -dIDR/dt=100A/μs |
Typ. |
55 |
|
パッケージ |
名称 |
SOP Advance(N) |
||
サイズ (mm) |
Typ. |
5.15×6.1 |
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在庫検索＆Web少量購入 |
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH2R70AR5
当社のMOSFET製品については下記ページをご覧ください。
MOSFET
高精度SPICEモデル(G2モデル)の詳細については下記ページをご参照ください。
G2モデル
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TPH2R70AR5
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