Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET，以提升工业设备开关电源效率
Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET，以提升工业设备开关电源效率
日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。
100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上，优化了漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)及二者的权衡特性(RDS(ON) × Qg)，从而降低了传导损耗和开关损耗。
与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低约8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。通过应用寿命控制技术[2]，该产品还实现了高速体二极管性能，减少了反向恢复电荷(Qrr)并抑制了尖峰电压。Qrr改善约38%，RDS(ON) × Qrr也改善约43%。这些行业领先的[3]权衡特性[4]（RDS(ON) × Qg和RDS(ON) × Qrrr）将功率损耗降至最低，有助于提升电源系统的效率和功率密度。此外，它采用SOP Advance (N)封装，与行业标准具有出色的安装兼容性。
Toshiba还提供电路设计支持工具：可快速验证电路功能的G0 SPICE模型，以及能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。所有工具现已全面可用。
Toshiba将继续扩展低损耗MOSFET产品线，助力打造更高效率的电源，为降低设备功耗做出贡献。
注：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低压功率MOSFET工艺技术之一。Toshiba调查。
[2] 寿命控制技术：通过利用离子束在半导体中引入缺陷，有意缩短载流子寿命，从而提高开关速度，改善二极管的恢复速度并降低噪声。
[3] 截至2025年9月，与其他用于工业设备的100V N沟道功率MOSFET相比。Toshiba调查。
[4] RDS(ON)×Qg : 120mΩ・nC（典型值），RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC（典型值）
应用领域
- 数据中心和通信基站所用工业设备的电源
- 开关电源（高效DC-DC转换器等）
产品特点
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低总栅极电荷：Qg=52nC（典型值）(VDD=50V, VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低反向恢复电荷：Qrr=55nC（典型值）(IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta＝25°C)
主要规格
（除非另有说明，否则Ta=25°C） |
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部件编号 |
||||
绝对
|
漏源电压 VDSS (V) |
100 |
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漏极电流（直流）ID (A) |
Tc=25°C |
190 |
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沟道温度 Tch (°C) |
175 |
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电气
|
漏源导通
|
VGS=10V, ID=50A |
最大值 |
2.7 |
VGS=8V, ID＝50A |
最大值 |
3.6 |
||
总栅极电荷
|
VDD=50V, VGS=10V,
|
典型值 |
52 |
|
栅极开关
|
典型值 |
17 |
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输出电荷 Qoss
|
VDD=50V, VGS=0V,
|
典型值 |
106 |
|
输入电容
|
VDS=50V, VGS=0V,
|
典型值 |
4105 |
|
反向恢复
|
IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs |
典型值 |
55 |
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封装 |
名称 |
SOP Advance(N) |
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尺寸(mm) |
典型值 |
5.15×6.1 |
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样品检查及供应情况 |
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。
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