-

采用创新32芯片堆叠存储技术的KIOXIA LC9系列245.76 TB企业级固态硬盘荣获“2025年FMS:存储与内存的未来”大会“最佳展品”奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其采用32芯片堆叠KIOXIA BiCS FLASH™第八代QLC 3D闪存技术的KIOXIA LC9系列245.76太字节(TB)(1)企业级固态硬盘荣获FMS“固态硬盘技术”类别的“最佳展品”奖。该奖项旨在表彰那些突破存储与内存技术边界的前沿产品、服务及客户应用方案。

作为业界首款(2)采用2.5英寸及企业与数据中心标准规格(EDSFF) E3.L外形尺寸的245.76 TB(1) NVMe™固态硬盘,KIOXIA LC9系列驱动器非常适合生成式AI和企业级应用场景。KIOXIA LC9系列固态硬盘目前已开始向特定客户提供样品。

奖项评选委员会主席、Network Storage Advisors Inc.总裁Jay Kramer表示:“客户在评估固态硬盘时,会重点关注那些能实现高容量扩展、同时兼具高性能和低功耗的存储产品。我们很荣幸对KIOXIA的BiCS FLASH™ 3D闪存技术及KIOXIA LC9系列固态硬盘予以认可。该解决方案依托其CBA(CMOS直接键合至阵列)技术,以及封装中32芯片堆叠架构的创新,实现了变革性固态硬盘所需的容量、功耗和密度。打造出容量最高(2)的PCIe® 5.0企业级固态硬盘是一项非凡的成就,也清晰彰显了Kioxia的行业领导地位。”

KIOXIA LC9系列SSD采用32层堆叠的2太比特(Tb)(3) BiCS FLASH™ QLC 3D闪存,并结合创新的CBA技术,能够提供支持下一波以AI为中心的工作负载所需的速度、规模和密度。这种先进的存储架构与CBA技术相结合,实现了在154球栅阵列(BGA)小型封装中达到8 TB(3)的容量——这也是一项业界首创(2)。这一里程碑的实现得益于Kioxia高精度晶圆加工、材料设计和引线键合技术的进步。

注:

(1) 固态硬盘容量定义:Kioxia Corporation将千字节(KB)定义为1000字节,兆字节(MB)定义为1,000,000字节,千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节,太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节,而千二进制字节(KiB)为1024字节。然而,计算机操作系统使用2的幂次方来报告存储容量,即1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节,1TB = 2^40字节 = 1,099,511,627,776字节,因此显示的存储容量较少。可用存储容量(包括各种媒体文件的示例)将根据文件大小、格式、设置、软件和操作系统,以及/或者预装的软件应用程序或媒体内容而异。实际格式化容量可能会有所不同。

(2) 截至2025年8月6日,根据Kioxia调查。

(3) 闪存容量计算方式为1太比特(1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40)比特,1太字节(1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40)字节。

* 2.5英寸指的是固态硬盘的规格尺寸,并非其实际物理大小。
* NVMe是NVM Express, Inc.在美国和其他国家的注册或未注册商标。
* PCIe是PCI-SIG的注册商标。
* 其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球领先的存储器解决方案供应商,致力于开发、生产和销售闪存和固态硬盘(SSD)。2017年4月,其前身Toshiba Memory从1987年发明NAND闪存的Toshiba Corporation中分拆出来。Kioxia致力于用“记忆”改善世界,提供产品、服务和系统,为客户创造选择,为社会创造基于记忆的价值。Kioxia的创新3D闪存技术BiCS FLASH™ 正在塑造高密度应用的存储未来,包括先进的智能手机、个人电脑、汽车系统、数据中心和生成式人工智能系统。

客户垂询:
Kioxia Group
全球销售办事处
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*本文档中的信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,在公告日期是正确的,但如有变更恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
推广管理部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia 与 Sandisk 在北上工厂 Fab2 启动第十代 3D 闪存产品生产

日本东京/美国加利福尼亚州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation(东京证券交易所代码:285A)旗下子公司 Kioxia Corporation 与 Sandisk Corporation(纳斯达克股票代码:SNDK)今日宣布,双方已在位于日本岩手县的北上工厂 Fab2(K2)启动第十代 3D 闪存技术的生产。值此重要里程碑之际,两家公司正持续推动未来多年的有效位增长,以满足市场对其创新闪存技术的强劲需求。 伴随第十代产品正式投产,两家公司同期举行了 K2 厂房启用仪式。该厂房于 2025 年 9 月投入运营,目前已承担双方第八代 3D 闪存产品的生产,并将随着第十代产品的导入进一步提升产能。第八代和第十代 3D 闪存均采用创新的 CBA(CMOS directly Bonded to Array,CMOS 直接键合至存储阵列)技术,在高性能、大容量和低功耗方面实现了卓越表现。 Fab2 厂房采用抗震建筑结构,并引入业界先进的节能型制造设备。该厂房运用人工智能技术进一步提升生产效率,同时采用高效利用空...

Kioxia开始出货第十代BiCS FLASH™器件样品:具备高性能、大容量与低功耗特性

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb(太比特)三层单元(TLC)存储器件样品1。这些产品将主要集成到该公司的企业级和数据中心固态硬盘(SSD)中,以增强Kioxia的产品阵容,满足人工智能存储对更高性能、更大容量和更低功耗日益增长的需求。这些新产品将利用位于日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2设施中的尖端设备进行生产。 通过利用自第八代BiCS FLASH™起便已采用的创新型CMOS直接键合到存储阵列(CBA)技术2以及同节距选择栅漏极(OPS)技术3,第十代技术实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度4,较第八代提升了 33%。通过堆叠332层并提高横向密度,比特密度提高了59%。此外,写入和读取的能效分别提高了18%和30%5,有助于降低数据中心和企业级基础设施的功耗。 在其独特的双轴战略下,Kioxia正在同步推进两条不同的产品线:其一为第九代解决方案,旨在以相对较低的投资成本提供高性能;其二为第十代技术,通过利...

Kioxia签署第20届亚运会和第5届亚残运会合作协议

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation欣然宣布,已与爱知·名古屋亚运会和亚残运会组织委员会签署合作协议,以支持2026年爱知·名古屋第20届亚运会和2026年第5届亚残运会。 作为32年来首次重返日本的亚洲最大体育盛会,第20届亚运会将继续把电子竞技列为正式奖牌项目。运动员们将在11个分项和13个小项中展开奖牌角逐。作为本届亚运会的官方游戏固态硬盘供应商,Kioxia将提供其最快的消费级固态硬盘——EXCERIA PRO G2 SSD,确保为选手们创造最佳竞技环境,助力他们发挥出最佳水平。 秉承“用‘记忆’让世界更美好”的使命,Kioxia对这两项赛事的赞助彰显了其支持电子竞技持续发展、助力实现更加丰富多元的数字社会的承诺。 合作协议详情 赞助级别: 第20届亚运会:第4级官方供应商 第5届亚残运会:第4级官方供应商 合同期限:从2026年6月24日(协议签署之日)至12月31日 赛事概览 第20届亚运会 日期:2026年9月19日至10月4日(电子竞技项目:2026年9月23日至10月2日)...
Back to Newsroom