Toshiba 推出輸出耐壓達 1800V 的車用光耦合繼電器

- 適用於 800V 車用電池系統 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱「Toshiba」）今日宣佈，推出一款採用 10-pin SO16L-T 封裝的車用光耦合繼電器^[1]「TLX9165T」，其輸出耐壓高達 1800V (最小值)，可支援高壓車用電池。該產品即日起開始量產出貨。

為實現電動車的普及，縮短充電時間和延長續航里程至關重要，而這兩者都需要更高效的電池系統。為此，電池管理系統 (BMS) 需負責監控電池充電狀態，並確保電池與車身之間的絕緣，這是保障高壓電池安全使用的關鍵。在必須處理高電壓的 BMS 中，具備電氣隔離功能的光耦合繼電器扮演了核心角色。
同樣地，為確保再生能源的高效運作，儲能系統 (ESS) 也採用了與 BMS 相似的架構，同樣需要處理高電壓並使用具備電氣隔離功能的光耦合繼電器。

目前 400V 電池系統仍是電動車主流，但隨著市場對更長續航里程和更快充電速度的需求日益增長，將加速推動市場向 800V 系統轉移。用於這些電池系統的光耦合繼電器，其耐壓必須約為系統電壓的兩倍，對 800V 系統而言，即為 1600V 或以上。為此，Toshiba 新款光耦合繼電器採用新開發的高壓 MOSFET，使其輸出耐壓高達 1800V (最小值)，能充分滿足 800V 系統的需求。

新款 TLX9165T 採用 10-pin SO16L-T 封裝，其樹脂的相對漏電起痕指數 (CTI)^[2] 超過 600，符合 IEC 60664-1^[4]國際標準中的材料組別 I^[3]。此外，其引腳配置確保光接收器側的沿面距離達 7.5mm 或以上^[5]，可支援高達 1500V 的工作電壓。

其引腳間距和引腳配置與 SO16L-T^[6] 封裝相容，可共用既有的 PCB 電路板圖樣設計。

Toshiba 將持續開發適用於車用電池系統及工業設備儲能系統的光耦合繼電器產品，為設備的安全運作貢獻心力。

註釋：
[1] 光耦合繼電器：初級（控制）側與次級（開關）側之間為電氣隔離。可透過絕緣屏障控制直接連接到 AC 線路的開關，以及接地電位不同的設備之間的開關。
[2] 相對漏電起痕指數 (CTI)：IEC 60112^[7] 將 CTI 定義為在給定測試條件下，絕緣材料表面的氯化銨溶液滴落導致漏電起痕之前的最大可能電壓。
[3] 材料組別 I：IEC 60664-1^[4] 中對模製材料的分類之一，指相對漏電起痕指數 (CTI)^[2] 達 600 及以上的材料。
[4] IEC 60664-1：此標準規定了 AC 1000V 或 DC 1500V 以下系統的絕緣協調原則、要求和測試方法。
[5] 沿面距離達 7.5mm 或以上：針對工作電壓 1500V、材料組別 I、污染等級 2（電氣設備使用環境的污染程度：污染物完全不導電，但可能因冷凝而變得導電）所需的沿面距離。
[6] SO16L-T：東芝 TLX9160T 和 TLX9152M 所使用的封裝。
[7] IEC 60112：一項國際標準，規定了測量絕緣材料相對漏電起痕指數 (CTI) 的測試方法。此標準用於評估固體絕緣材料表面的電擊穿（漏電起痕）特性。

應用

• 車用設備：BMS（電池電壓監控、機械式繼電器黏著檢測、接地故障檢測等）
• 工業設備：ESS
• 取代傳統機械式繼電器

特點

• 輸出耐壓：V_OFF =1800V（最小值）
• 常開型 (1-Form-A) 元件
• 雪崩電流額定值：I_AV =0.6mA
• 高隔離電壓：5000Vrms（最小值）
• 符合 AEC-Q101 標準
• 符合 IEC 60664-1 國際標準

主要規格

（除非另有規定，Ta =25℃）
零件編號				TLX9165T
接點				1-Form-A
絕對 最大 額定值	輸入順向電流 IF (mA)			30
	導通狀態電流 ION (mA)			30
	工作溫度 Topr (°C)			-40 to 125
	雪崩電流 IAV (mA)			0.6
電氣 特性	截止狀態電流 IOFF (μA)	VOFF =1500V	最大值	0.1
	輸出 耐壓 VOFF (V)	IOFF =10μA	最小值	1800
Recommended 建議工作 條件	供應電壓 VDD (V)		最大值	1500
耦合 電氣 特性	觸發 LED 電流 IFT (mA)	ION =30mA, t=10ms	最大值	3
	返回 LED 電流 IFC (mA)	IOFF =100μA, Ta =-40 to 125°C, t=40ms	最小值	0.05
	導通狀態電阻 RON (Ω)	ION =30mA, IF =10mA, t<1s	最大值	340
開關 特性	開啟時間 tON (ms)	IF =10mA, RL =20kΩ, VDD =40V	最大值	1
	關閉時間 tOFF (ms)		最大值	1
隔離 特性	隔離電壓 BVS (Vrms)	AC, 60s	最小值	5000
空間距離 (mm)			最小值	8
沿面距離 (mm)			最小值	8
封裝	名稱			10pin SO16L-T
	尺寸 (mm)		典型值	10.3×10.0×2.45
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

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