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Toshiba推出采用DFN8x8封装的第3代650V SiC MOSFET

- 四款新设备提升工业设备的能效与功率密度 -

日本川崎市--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET,搭载其新款[1] 第3代SiC MOSFET芯片,采用紧凑型DFN8x8封装,适用于开关电源和光伏发电调节器等工业设备。这四款设备“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出货。

这款新品是首批采用小型贴片DFN8x8封装的第3代SiC MOSFET,与TO-247和TO-247-4L(X)等传统的引线封装相比,体积缩小超过90%,显著提升了设备的功率密度。贴片封装还能使用比引线封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。DFN8x8采用4引脚[3]封装,支持对门极驱动信号源端进行Kelvin连接,有效减少封装内源极线的电感影响,实现高速开关性能;以型号TW054V65C为例,其开启损耗降低约55%,关断损耗降低约25%[4],相比Toshiba现有产品[5],有助于减少设备的功率损耗。

Toshiba将持续扩展其产品阵容,助力提升设备能效并增强功率处理能力。

注释:
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月,数值由Toshiba测量。详情请参阅Toshiba网站上此版本中的图1。
[5] 采用TO-247封装(无Kelvin连接)的650V第3代SiC MOSFET,等效电压和导通电阻。

应用领域

  • 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
  • 电动汽车充电站
  • 光伏逆变器
  • 不间断电源

特点

  • 采用DFN8x8贴片封装,有助于设备小型化及自动化组装,具备低开关损耗特性。
  • 搭载Toshiba第3代SiC MOSFET
  • 通过优化漂移区电阻与沟道电阻比例,实现良好的漏源导通电阻温度特性
  • 漏源导通电阻与栅漏电荷乘积较低
  • 低二极管正向电压:VDSF =-1.35V(典型) (VGS =-5V)

主要规格

(除非另有说明,Ta =25℃)

产品型号

TW031V65C

TW054V65C

TW092V65C

TW123V65C

封装

名称

DFN8x8

尺寸(毫米):

典型

8.0×8.0×0.85

绝对最大额定值

漏源电压 VDSS (V)

650

栅源电压 VGSS (V)

-10 至 25

漏极电流 (DC) ID (A)

Tc =25°C

53

36

27

18

电气特性

漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)

VGS =18V

典型

31

54

92

123

栅极阈值电压 Vth (V)

VDS =10V

3.0 至 5.0

总栅极电荷 Qg (nC)

VGS =18V

典型

65

41

28

21

栅漏电荷 Qgd (nC)

VGS =18V

典型

10

6.2

3.9

2.3

输入电容 Ciss (pF)

VDS =400V

典型

2288

1362

873

600

二极管正向压降 VDSF (V)

VGS =-5V

典型

-1.35

样品检查及供应情况

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工,以实现产品价值最大化,与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来,让全世界的所有人受益为目标。

如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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