Toshiba推出採用DFN8x8封裝的第3代650V SiC MOSFET

- 四款新設備提升工業設備的效率與功率密度 -

日本川崎市--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了四款650V碳化矽 (SiC) MOSFET，搭載其新款^[1] 第3代SiC MOSFET晶片，採用緊湊型DFN8x8封裝，適用於開關電源供應器和光伏發電調節器等工業設備。這四款設備「TW031V65C」、「TW054V65C」、「TW092V65C」和「TW123V65C」即日起批量出貨。

這款新品是首批採用小型貼片DFN8x8封裝的第3代SiC MOSFET，與TO-247和TO-247-4L(X)等傳統的引線封裝相比，體積縮小超過90%，顯著提升了設備的功率密度。貼片封裝還能使用比引線封裝更小的寄生阻抗^[2]元件，從而降低開關損耗。DFN8x8採用4引腳^[3]封裝，支援對門極驅動信號源端進行Kelvin連接，有效減少封裝內源極線的電感影響，實現高速開關性能；以型號TW054V65C為例，其開啟損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%^[4]，相比Toshiba現有產品^[5]，有助於減少設備的功率損耗。

Toshiba將持續擴展其產品陣容，協助提升設備效率並增強功率處理能力。

注釋：
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 信號源引腳靠近FET晶片連接的產品。
[4] 截至2025年5月，數值由Toshiba測量。詳情請參閱Toshiba網站上此版本中的圖1。
[5] 採用TO-247封裝(無Kelvin連接)的650V第3代SiC MOSFET，等效電壓和導通電阻。

應用領域

• 伺服器、資料中心、通信設備等的開關式電源供應器
• 電動汽車充電站
• 光伏逆變器
• 不斷電供應系統

特點

• 採用DFN8x8貼片封裝，有助於設備小型化及自動化組裝，具備低開關損耗特性。
• 搭載Toshiba第3代SiC MOSFET
• 透過最佳化漂移區電阻與通道電阻比例，實現良好的漏源導通電阻溫度特性
• 漏源導通電阻與柵漏電荷乘積較低
• 低二極體正向電壓：V_DSF =-1.35V(typ.) (V_GS =-5V)

主要規格

				(除非另有說明，Ta =25℃)
產品型號				TW031V65C	TW054V65C	TW092V65C	TW123V65C
封裝	名稱			DFN8x8
	尺寸(mm)		典型	8.0×8.0×0.85
絕對最大額定值	漏源電壓 VDSS (V)			650
	柵源電壓 VGSS (V)			-10至25
	漏極電流(DC) ID (A)	Tc =25°C		53	36	27	18
電氣特性	漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS =18V	典型	31	54	92	123
	柵極閾值電壓 Vth (V)	VDS =10V		3.0 to 5.0
	總柵極電荷 Qg (nC)	VGS =18V	典型	65	41	28	21
	柵漏電荷 Qgd (nC)	VGS =18V	典型	10	6.2	3.9	2.3
	輸入電容 Ciss (pF)	VDS =400V	典型	2288	1362	873	600
	二極體正向壓降 VDSF (V)	VGS =-5V	典型	-1.35
樣品檢查及供應情況				線上購買	線上購買	線上購買	線上購買

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