Kioxia宣布推出首款采用第八代BiCS FLASH™ TLC闪存技术的企业级NVMe™ SSD

KIOXIA CM9系列PCIe^®5.0 NVMe™ SSD采用CBA芯片架构，提升性能标准

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation是先进的内存解决方案提供商，该公司今天宣布，其全新KIOXIA CM9系列PCIe^®5.0 NVMe™ SSD已完成开发并完成原型演示。这些新一代硬盘是首批采用Kioxia第八代BiCS FLASH™ TLC 3D闪存¹的企业级固态硬盘，该闪存采用了CMOS直接键合阵列(CBA)技术，这项技术是一项架构创新，在能效、性能、密度以及可持续性方面均取得了显著提升，同时将每个闪存设备的可用容量²提高了一倍。

随着现代计算需求的日益增长，人工智能、机器学习和高性能计算等应用需要先进的固态存储基础设施，不仅需要企业级性能，还需要更高的能效，以确保可扩展性和可控的运营成本。满足这些需求是KIOXIA CM9系列设计的核心，该系列专为支持下一代数据中心工作负载而设计。

CM9系列的核心是Kioxia的第八代BiCS FLASH™，这是该公司迄今为止最先进的3D闪存。该技术采用基于CBA的架构，显著提升了NAND接口速度、密度和能效，并降低了延迟，从而直接提升了固态硬盘的性能。

与上一代产品KIOXIA CM7系列相比，KIOXIA CM9系列固态硬盘的随机写入性能提升高达约65%，随机读取性能提升高达55%，顺序写入性能提升高达95%。此外，每瓦性能的提升还包括顺序读取效率提升约55%，顺序写入效率提升约75%。

KIOXIA CM9系列固态硬盘的亮点包括（初步亮点，可能会有变化）：

• 符合PCIe^®5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c和OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5规范
• 在2.5英寸和E3.S外形规格中支持双端口
• 读取密集型(1 DWPD)和混合使用型(3 DWPD)耐久性
• 顺序性能（128千字节 (KiB)/QD32）–读取速度14.8 GB/s，写入速度11 GB/s
• 随机性能(4 KiB) – 3,400 KIOPS (QD512)和800 KIOPS (QD32)
• 2.5英寸容量高达61.44 TB，E3.S容量高达30.72 TB

KIOXIA CM9系列固态硬盘现已开始向部分客户提供样品，并将于5月19日至22日在拉斯维加斯举行的戴尔科技世界大会上展出。

注意
1：截至2025年5月15日。资料来源：Kioxia Corporation。
2：与上一代产品相比。

• 2.5英寸指的是外形尺寸名称，而非实际尺寸。
• 读写速度可能因主机设备、软件（驱动程序、操作系统等）以及读写条件等各种因素而异。
• 性能为初步数据，如有更改，恕不另行通知。
• 容量定义：KIOXIA Corporation将1千字节(KB)定义为1,000字节，1兆字节(MB)定义为1,000,000字节，1千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节，1太字节(TB)定义为1,000,000,000字节。然而，计算机操作系统在报告存储容量时使用的是2的幂次，定义为1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节，1TB = 2^40字节 = 1,099,511,627,776字节，1千兆字节(KiB)为1,024字节，因此显示的存储容量较小。可用存储容量（包括各种媒体文件的示例）会因文件大小、格式化、设置、软件和操作系统和/或预装软件应用程序或媒体内容而异。实际格式化容量可能会有所不同。
• IOPS：每秒输入输出（或每秒输入/输出操作数）
  

• Dell Technologies和Dell是Dell Inc.或其子公司的商标。
• NVMe和NVMe-MI是NVM Express, Inc.在美国和其他国家/地区的注册或未注册商标。
• PCIe是PCI-SIG的注册商标。
• 其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。

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