-

Kioxia宣布推出适用于AI应用的大容量KIOXIA LC9系列122.88 TB NVMe固态硬盘

新型企业级固态硬盘采用2 Tb QLC芯片,将在即将举行的行业会议上展示

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 存储解决方案领域的全球领导者Kioxia Corporation今日宣布开发出了全新的2.5英寸规格KIOXIA LC9系列122.88太字节(TB) NVMe™固态硬盘。这是首款采用该公司第8代BiCS FLASH™ 3D闪存技术2太比特(Tb) QLC芯片打造的固态硬盘。目前正在开发中的KIOXIA LC9系列将从本月起在各类即将举行的行业会议上展示。

随着AI系统变得日益成熟,数据量持续增长,企业需要能够跟上现代工作负载复杂需求的存储解决方案。大容量驱动器对于AI流程的某些阶段至关重要,包括大型语言模型(LLM)、训练和存储海量数据集、向量数据库,以及为推理和微调快速检索信息。这款专为生成式AI应用设计的新型企业级KIOXIA驱动器具备大容量特点,并提供具有双端口功能的PCIe® 5.0接口,以实现容错能力或连接多个计算系统。这些基于大容量QLC的固态硬盘适用于部署在混合云和多云系统中。大容量固态硬盘通过这些云配置将训练和推理数据传输至AI服务器系统。

这款全新的KIOXIA固态硬盘与近期推出的KIOXIA AiSAQ™技术相辅相成,该技术通过将向量数据库元素存储在固态硬盘而非昂贵且容量有限的动态随机存取存储器(DRAM)中,提升了可扩展的检索增强生成(RAG)性能。此外,与低容量固态硬盘相比,它凭借更高的存储密度和每TB更低的功耗,提高了系统和机架层面的效率。

KIOXIA LC9系列固态硬盘的亮点包括:

  • 双端口2.5英寸固态硬盘规格,容量为122.88 TB,耐用性为每天0.3次全盘写入(DWPD)。
  • 符合NVMe™ 2.0、NVMe-MI™和PCIe® 5.0规范(Gen5单通道x4模式下速度高达每秒128千兆传输,具备双通道x2性能)。
  • 采用KIOXIA第8代2 Tb QLC BiCS FLASH™ 3D闪存,具备CMOS直接键合至阵列(CBA)技术,有助于打造出大容量、高性能且节能的产品。 


*2.5英寸指的是固态硬盘的规格尺寸,并非其实际物理大小。

*容量定义:Kioxia Corporation将千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节,太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节。然而,计算机操作系统使用2的幂次方来报告存储容量,即1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节,1TB = 2^40字节 = 1,099,511,627,776字节,因此显示的存储容量较少。可用存储容量(包括各种媒体文件的示例)将根据文件大小、格式、设置、软件和操作系统,以及/或者预装的软件应用程序或媒体内容而异。实际格式化容量可能会有所不同。

*DWPD:每天驱动器写入次数。每天一次全盘写入意味着在产品规定的五年保修期内,该驱动器每天可以写入并重新写入至满容量一次。实际结果可能因系统配置、使用情况和其他因素而异。

*NVMe和NVMe-MI是NVM Express, Inc.在美国和其他国家的注册或未注册商标。
*PCIe是PCI-SIG的注册商标。
*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

客户垂询:
Kioxia Group
全球销售办事处
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*本文档中的信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,在公告日期是正确的,但如有变更恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
销售战略规划部
Koji Takahata
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
销售战略规划部
Koji Takahata
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia 与 Sandisk 在北上工厂 Fab2 启动第十代 3D 闪存产品生产

日本东京/美国加利福尼亚州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation(东京证券交易所代码:285A)旗下子公司 Kioxia Corporation 与 Sandisk Corporation(纳斯达克股票代码:SNDK)今日宣布,双方已在位于日本岩手县的北上工厂 Fab2(K2)启动第十代 3D 闪存技术的生产。值此重要里程碑之际,两家公司正持续推动未来多年的有效位增长,以满足市场对其创新闪存技术的强劲需求。 伴随第十代产品正式投产,两家公司同期举行了 K2 厂房启用仪式。该厂房于 2025 年 9 月投入运营,目前已承担双方第八代 3D 闪存产品的生产,并将随着第十代产品的导入进一步提升产能。第八代和第十代 3D 闪存均采用创新的 CBA(CMOS directly Bonded to Array,CMOS 直接键合至存储阵列)技术,在高性能、大容量和低功耗方面实现了卓越表现。 Fab2 厂房采用抗震建筑结构,并引入业界先进的节能型制造设备。该厂房运用人工智能技术进一步提升生产效率,同时采用高效利用空...

Kioxia开始出货第十代BiCS FLASH™器件样品:具备高性能、大容量与低功耗特性

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb(太比特)三层单元(TLC)存储器件样品1。这些产品将主要集成到该公司的企业级和数据中心固态硬盘(SSD)中,以增强Kioxia的产品阵容,满足人工智能存储对更高性能、更大容量和更低功耗日益增长的需求。这些新产品将利用位于日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2设施中的尖端设备进行生产。 通过利用自第八代BiCS FLASH™起便已采用的创新型CMOS直接键合到存储阵列(CBA)技术2以及同节距选择栅漏极(OPS)技术3,第十代技术实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度4,较第八代提升了 33%。通过堆叠332层并提高横向密度,比特密度提高了59%。此外,写入和读取的能效分别提高了18%和30%5,有助于降低数据中心和企业级基础设施的功耗。 在其独特的双轴战略下,Kioxia正在同步推进两条不同的产品线:其一为第九代解决方案,旨在以相对较低的投资成本提供高性能;其二为第十代技术,通过利...

Kioxia签署第20届亚运会和第5届亚残运会合作协议

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation欣然宣布,已与爱知·名古屋亚运会和亚残运会组织委员会签署合作协议,以支持2026年爱知·名古屋第20届亚运会和2026年第5届亚残运会。 作为32年来首次重返日本的亚洲最大体育盛会,第20届亚运会将继续把电子竞技列为正式奖牌项目。运动员们将在11个分项和13个小项中展开奖牌角逐。作为本届亚运会的官方游戏固态硬盘供应商,Kioxia将提供其最快的消费级固态硬盘——EXCERIA PRO G2 SSD,确保为选手们创造最佳竞技环境,助力他们发挥出最佳水平。 秉承“用‘记忆’让世界更美好”的使命,Kioxia对这两项赛事的赞助彰显了其支持电子竞技持续发展、助力实现更加丰富多元的数字社会的承诺。 合作协议详情 赞助级别: 第20届亚运会:第4级官方供应商 第5届亚残运会:第4级官方供应商 合同期限:从2026年6月24日(协议签署之日)至12月31日 赛事概览 第20届亚运会 日期:2026年9月19日至10月4日(电子竞技项目:2026年9月23日至10月2日)...
Back to Newsroom