-

东芝发布车用CXPI响应器接口IC样件,有望缩短软件开发时间

- 业内首款内置硬件逻辑的 [1] CXPI响应器接口IC -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(东芝电子元件及存储装置株式会社,简称“东芝”)今天开始提供“TB9033FTG”样品,这是一款车用时钟扩展外设接口[2](CXPI)响应器接口IC,符合有关汽车通信协议的CXPI标准。

TB9033FTG是业内首款[1]内置硬件逻辑[3]的此类IC。该逻辑通过CXPI协议以及通用输入/输出(GPIO)控制收发,从而不再需要开发专用软件,同时还有助于缩短产品开发时间。

这款新IC有16个GPIO引脚,其中六个可切换至AD转换器输入,四个可切换至脉宽调制(PWM)输出。此外,它还集成了大量可在各类车载应用中使用的功能:包括休眠模式下的输入监控、开关矩阵(最多4×4)输入以及通信中断时的输出。

该IC内置了过热、过压及欠压故障检测电路,此外还能检测异常前兆,并将数据发送至指挥节点,从而可提升车载应用中的故障检测性能。

工作温度范围为–40至125°C,适合车载应用,此外该IC将符合有关汽车电子产品的AEC-Q100认证标准。

这款新产品可支持实现汽车通信的多路复用,并可减少车身控制系统中使用的线束,有助于减轻车辆重量。

此外,东芝还在开发一款汽车CXPI通信驱动接收器IC“TB9032FNG”,其可通过外部引脚在指挥节点和响应节点之间切换。

注:

[1]用作响应节点的CXPI接口IC。截止2024年9月3日的东芝调查。
[2]CXPI(时钟扩展外设接口):一种在日本制定的通信标准,面向源于LIN[4]的车载子网。
[3]使用无微控制器的硬件配置的逻辑电路。
[4]LIN(本地互联网):一种通信标准,适用于比CAN [5]提供的车载子网络成本及速度都更低的车载子网络。
[5]CAN(控制器局域网):一种串行通信标准,主要用于汽车通信网络。

应用

汽车

  • 车身控制系统应用(方向盘开关、仪表盘开关、灯光开关、车门锁以及车门后视镜等)

特性

  • 响应器接口IC符合有关汽车通信协议的CXPI标准
  • 高速响应,适合汽车车身系统应用(与LIN相比)
  • 16个GPIO引脚(四个可切换至PWM输出,另有六个可切换至AD转换器输入)
  • 开关矩阵(最多4×4)输入功能
  • 故障检测功能(本品可检测到异常前兆并自动将数据发送至指挥节点):过热、过压和欠压
  • 低电流消耗(待机电流):IVBAT_SLP=10μA(典型值)
  • 低EMI和高EMS,可简化噪声设计
  • 具有高ESD阻抗性,因此具有高静电阻抗性
  • 将通过AEC-Q100认证

主要规格

(Ta=–40至125°C)

器件型号

TB9033FTG

标准

符合有关汽车通信协议标准的CXPI(ISO 20794-2至4,ISO 14229-8)

功能

内置硬件逻辑的CXPI接口IC(仅限响应节点)

I/O引脚

16个GPIO引脚(4.5至5.5 V)

(其中六个引脚可切换至10位AD转换器输入的一个电路,四个引脚可切换至8位PWM输出的四个电路)

输入功能

  • 休眠模式下的输入监控
  • 输入抖振滤波器设置
  • 开关矩阵(最多4×4)设置
  • AD转换器移动平均值采样(可设置时间和次数)

输出功能

  • 输出开关控制(可设置时间和次数)
  • 通信中断时的输出控制
  • PWM频率设置

内置存储器

非易失性存储器(保存I/O引脚设置、可重写、可配置密码)

故障检测功能

过热、过压和欠压(本品可检测异常前兆,并自动将数据发送至指挥节点)

绝对

最大

额定值

电源电压

VVBAT(V)

-0.3至40

电气

特性

VBAT正常工作范围

VVBAT(V)

6至18

流耗(待机电流)

IVBAT_SLP(μA)

典型值

10

工作温度

Ta(°C)

-40至125

通信速度(kbps)

最大值

20

封装

名称

P-VQFN28-0606-0.65-003

尺寸(mm)

6×6

可靠性测试

将通过AEC-Q100(一级)认证

量产

2025年12月

如需了解这款新产品的更多信息,请访问以下链接。
TB9033FTG

如需了解东芝车载网络通信产品的更多信息,请访问以下链接。
车载网络通信

*公司名称、产品名称和服务名称可能是各相关公司的商标。
*本文件中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息为截至公告之日的最新信息,可能随时变化,恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是领先的先进半导体和存储解决方案供应商,利用半个多世纪的丰富经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供杰出的分立半导体、系统LSI以及HDD产品。
该公司在全世界拥有19,400名员工,以实现最大产品价值,促进与客户紧密合作为己任,共同创造价值和开拓新市场。该公司矢志为所有人建设更美好的未来并贡献力量。
有关TDSC的更多信息请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户咨询:
模拟与车载器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2219
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户咨询:
模拟与车载器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2219
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作温度达125°C的工业设备用四通道高速标准数字隔离器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工业设备用四通道高速标准数字隔离器,进一步扩充了其数字隔离器产品线。该系列包含10款新产品,均采用SOIC16-W封装,最高工作温度可达125°C。批量出货自即日起开始。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的广泛应用,使得设计可在高温条件下运行的工业设备成为可能。然而,在隔离信号传输中,输入和输出之间的电磁噪声可能会导致故障,这使得市场对能实现稳定控制信号传输、同时兼具高抗噪性与高可靠性的隔离器件的需求日益增长。 Toshiba新型数字隔离器支持高达125°C的最高工作温度。得益于公司专有的磁耦合隔离传输技术[1],该系列产品还实现了高达150kV/μs(典型值)[2]的高共模瞬态抗扰度(CMTI),从而助力设备稳定运行。 新产品提供多种通道配置:4个正向通道和0个反向通道;3个正向通道和1个反向通道;以及2个正向通道和2个反向通道。这种灵活性使其能够广泛...

Toshiba开始出货TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器工程样品,搭载用于系统控制应用的Arm® Cortex®-M4内核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器[1],这些微控制器搭载带有浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核。全新微控制器专为消费产品(如空调、洗衣机)以及工业设备(包括多功能打印机、工厂自动化系统)的小型系统控制应用而设计。Toshiba目前已开始提供这些新产品的工程样品。 随着现代消费产品和工业设备变得日益先进和多样化,用于系统控制的微控制器必须具备更强的实时处理能力与稳定性,支持简便的设计流程,提供长期运行所需的通用性,并具备足够的灵活性以支持衍生产品的开发。Toshiba已通过开发专为系统控制应用而设计的TXZ+™系列入门级M4H组微控制器来应对这些挑战,尤其注重其通用性。 这些全新微控制器被设计为入门级产品,可提供一系列基本功能。它们采用带有FPU的Arm® Cortex®-M4内核,最高工作频率达120MHz——这正是消费产品和工业设备所需的计算性能与响应...

Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(简称“Toshiba”)今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式人工智能(AI)的快速发展,电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求,Toshiba开发了TW007D120E,该产品将有助于降低功耗,并实现电源系统的小型化和更高效率。 TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1],实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻(RDS(on)A);其通过更低的导通电阻降低导通损耗,同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比,TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约5...
Back to Newsroom