Toshiba推出适用于半导体测试仪高频信号开关的小型光继电器

- 降低插入损耗，改善高频信号传输特性 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"。这款光继电器采用小巧轻薄的WSON4封装，可降低插入损耗并抑制高频信号^[1] 的功率衰减，适用于使用大量继电器并需要高速信号的半导体测试仪引脚电子装置。该产品即日起开始批量发货。

Toshiba的优化封装设计减少了新款光继电器中的寄生电容和电感。这降低了插入损耗，将高频信号的传输特性提高到20GHz（典型值） ^[2]，比Toshiba当前产品TLP3475S低约1.5倍^[2]。

TLP3475W采用小巧轻薄的WSON4封装，厚度仅为0.8毫米（典型值），使其成为业内最小的 ^[3]光继电器，从而实现了更好的高频信号传输特性。与Toshiba的超小型S-VSON4T封装相比，它的高度降低了40%，从而可以在同一电路板上安装更多产品，并有助于提高测量效率。

Toshiba将继续扩大其产品阵容，以支持速度更快、功能更多的半导体测试仪。

应用

• 半导体测试仪（高速存储器测试仪、高速逻辑测试仪等）
• 探针卡
• 测量设备

特性

• 业界最小的^[3]WSON4封装：1.45mm×2.0mm（典型值），t=0.8mm（典型值）
• 改善高频信号通过特性：f=20GHz（典型值）@插入损耗(S21) = -3dB
• 常开功能(1-Form-A)

备注：

[1] 当频带在几百兆赫至几十兆赫范围内时。
[2] 信号通过输出MOSFET时，信号功率衰减比（插入损耗）为-3dB的频段。
[3] 针对光继电器。截至2023年10月的Toshiba调查。

主要规格

（除非另有说明，否则Ta = 25°C）
部件编号				TLP3475W
封装	名称			WSON4
	尺寸（毫米）			1.45×2.0（典型值），t=0.8（典型值）
绝对最大额定值	关断状态输出端电压VOFF (V)			60
	导通电流ION (A)			0.4
	导通电流（脉冲）IONP (A)			1.2
	工作温度Topr (°C)			-40至110
耦合电气特性	触发LED电流IFT (mA)		最大值	3.0
	导通电阻RON (Ω)		典型值	1.1
			最大值	1.5
电气特性	输出电容COFF (pF)		最大值	20
开关特性	导通时间tON（毫秒）	@RL = 200Ω, VDD = 20V, IF = 5mA	最大值	0.25
	关断时间tOFF（毫秒）			0.2
隔离特性	隔离电压BVS (Vrms)		最小值	300
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球的21,500名员工致力于最大限度提高产品价值，并促进与客户的密切合作，共同创造价值和开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的年销售额接近8000亿日元（61亿美元），期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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