Toshiba推出適用於半導體測試儀高頻訊號開關的小型光繼電器

- 降低插入損耗，改善高頻訊號傳輸特性 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"。這款光繼電器採用小巧輕薄的WSON4封裝，可降低插入損耗並抑制高頻訊號^[1] 的功率衰減，適用于使用大量繼電器並需要高速訊號的半導體測試儀引腳電子裝置。該產品即日起開始批量發貨。

Toshiba經過最佳化的封裝設計減少了新款光繼電器中的寄生電容和電感。這降低了插入損耗，將高頻訊號的傳輸特性提高到20GHz（典型值） ^[2]，比Toshiba當前產品TLP3475S低約1.5倍^[2]。

TLP3475W採用小巧輕薄的WSON4封裝，厚度僅為0.8毫米（典型值），使其成為業界最小的 ^[3]光繼電器，從而實現了更好的高頻訊號傳輸特性。與Toshiba的超小型S-VSON4T封裝相比，它的高度降低了40%，從而可以在同一電路板上安裝更多產品，並有助於提高測量效率。

Toshiba將繼續擴大其產品陣容，以支援速度更快、功能更多的半導體測試儀。

應用

• 半導體測試儀（高速記憶體測試儀、高速邏輯測試儀等）
• 探針卡
• 測量裝置

特性

• 業界最小的^[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），t=0.8mm（典型值）
• 改善高頻訊號透過特性：f=20GHz（典型值）@插入損耗(S21) = -3dB
• 常開功能(1-Form-A)

備註：

[1] 當頻帶在幾百兆赫至幾十兆赫範圍內時。
[2] 訊號通過輸出MOSFET時，訊號功率衰減比（插入損耗）為-3dB的頻段。
[3] 針對光繼電器。截至2023年10月的Toshiba調查。

主要規格

（除非另有說明，否則Ta = 25°C）
部件編號				TLP3475W
封裝	名稱			WSON4
	尺寸（毫米）			1.45×2.0（典型值），t=0.8（典型值）
絕對最大額定值	關斷狀態輸出端電壓VOFF (V)			60
	導通電流ION (A)			0.4
	導通電流（脈衝）IONP (A)			1.2
	工作溫度Topr (°C)			-40至110
耦合電氣特性	觸發LED電流IFT (mA)		最大值	3.0
	導通電阻RON (Ω)		典型值	1.1
			最大值	1.5
電氣特性	輸出電容COFF (pF)		最大值	20
開關特性	導通時間tON（毫秒）	@RL = 200Ω, VDD = 20V, IF = 5mA	最大值	0.25
	關斷時間tOFF（毫秒）			0.2
隔離特性	隔離電壓BVS (Vrms)		最小值	300
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家首屈一指的先進半導體和儲存解決方案供應商，憑藉半個多世紀的經驗與創新優勢，為客戶和業務合作夥伴提供傑出的半導體分立元件、系統LSI和HDD產品。
公司在全球擁有21,500名員工，以促進產品價值最大化為己任，與客戶緊密合作，共同創造價值、開拓新市場。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年銷售收入近8000億日圓（約合61億美元），立志為全人類創造更加美好的未來。
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