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Shin-Etsu Chemical dà ulteriore impulso alla sua attività dei substrati QST® per l'implementazione nei dispositivi di potenza GaN

L'obiettivo è contribuire alla soluzione di questioni sociali

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (sede: Tokyo, presidente: Yasuhiko Saitoh) ha determinato che i substrati QST® (Qromis Substrate Technology) sono materiali essenziali per l'implementazione sociale dei dispositivi di potenza GaN (nitruro di gallio) a performance elevate ed efficienti dal punto di vista energetico, e l'azienda intende promuoverne lo sviluppo e lanciarli sul mercato.

Progettati per presentare il medesimo coefficiente di espansione termica (CTE) del GaN, i substrati QST® consentono di eliminare la deformazione e fessurazione dello strato epitassiale di GaN e quindi di ottenere una spessa crescita epitassiale GaN di grande diametro e di qualità elevata.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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Contatto per domande su questo argomento:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Ufficio Relazioni Pubbliche
Tetsuya Koishikawa
Tel.: 03-6812-2340 oppure, al di fuori del Giappone: 81-3-6812-2340
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Industry:

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

TOKYO:4063
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