Toshiba推出支援電源電路小型化的100V N溝道功率MOSFET

– 採用最新一代製程，具有低導通電阻和擴大的安全工作區域 –

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")發布了一款100V N溝道功率MOSFET產品TPH3R10AQM。該產品採用了Toshiba最新一代製程U-MOS X-H製造，針對資料中心和通訊基地台所用的工業設備，目標應用包括這些工業設備供電線路上的開關電路和熱插拔電路^[1]。新品即日起開始出貨。

TPH3R10AQM的最大漏源電阻僅有3.1mΩ，達到業界領先水準^[2]，比Toshiba使用前一代製程製造的100V產品TPH3R70APL的電阻低16%^[2]。兩者相比，TPH3R10AQM將安全工作區域擴大76%^[3]，使其適合在線性模式下工作。減小導通電阻並擴大安全工作區域的線性工作範圍可以減少元件的並聯數量。此外，其閘極閾值電壓範圍為2.5V至3.5V，降低了由於閘極電壓雜訊引發故障的可能性。
這款新產品採用了具備高度封裝相容性的SOP Advance(N)封裝。

Toshiba將繼續擴大能夠透過減少損耗提高電源效率，並且有助於降低設備功率消耗的功率MOSFET產品線。

應用

• 通訊設備的供電，如資料中心和通訊基地台的設備
• 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

特點

• 業界領先的^[2] 出色低導通電阻：R_DS(ON)=3.1mΩ（最大值）(V_GS=10V)
• 寬安全工作區域
• 高溝道溫度等級：T_ch（最大值）=175°C

注釋：
[1] 在設備運作時，該電路無需關閉系統即可控制元件和系統的連接與斷開。
[2] Toshiba 2023年6月的調查結果。
[3] 脈衝寬度：t_w=10ms，V_DS=48V

主要規格
（除非另有說明，Ta=25°C）
產品型號			TPH3R10AQM
絕對最大額定值	漏源極電壓VDSS (V)		100
	漏極電流(DC) ID (A)	Tc=25°C	120
	溝道溫度Tch (°C)		175
電氣特性	源漏極導通電阻RDS(ON) 最大值(mΩ)	VGS=10V	3.1
		VGS=6V	6.0
	總閘極電荷（閘源加閘漏）Qg典型值(nC)		83
	閘極開關電荷Qsw典型值(nC)		32
	輸出電荷Qoss典型值(nC)		88
	輸入電容Ciss典型值(pF)		5180
封裝	名稱		SOP Advance(N)
	尺寸典型值(mm)		4.9×6.1
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值，不斷強化與客戶的密切合作，攜手創造價值，合作開發新市場。在目前近8000億日圓（61億美元）年銷售額的基礎上，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。
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