東芝：機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

～最新世代プロセスを採用し、低オン抵抗と安全動作領域の拡大を実現～

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路^[注1]など向けに、最新世代プロセス「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新製品は、ドレイン･ソース間オン抵抗を業界トップクラス^[注2]の最大3.1mΩ(V_GS=10V)に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減^[注2]しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%^[注3]拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5～3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。
パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。

当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。

応用機器

• データセンターや通信基地局などの産業機器用電源
• 高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源

新製品の主な特長

• 業界トップクラス^[注2]の低オン抵抗 : R_DS(ON)=3.1mΩ (max) (V_GS=10V)
• 安全動作領域が広い
• チャネル温度定格が高い : T_ch (max)=175 °C

[注1] 機器が稼働した状態での回路基板やケーブルの抜き挿し(ホットスワップ)に対応した回路
[注2] 2023年６月現在、当社調べ。
[注3] パルス幅t_w=10ms、V_DS=48V

新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番			TPH3R10AQM
絶対最大定格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)		100
	ドレイン電流 (DC) ID (A)	Tc=25°C	120
	チャネル温度 Tch (°C)		175
電気的特性	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)	VGS=10V	3.1
		VGS=6V	6.0
	ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)		83
	ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC)		32
	出力電荷量 Qoss typ. (nC)		88
	入力容量 Ciss typ. (pF)		5180
パッケージ	名称		SOP Advance(N)
	サイズ typ. (mm)		4.9×6.1
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