キオクシア：UFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの次世代製品のサンプル出荷について

5G高速ネットワークを活用した高性能スマートフォンの開発に貢献

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、UFS 4.0に対応した組み込み式フラッシュメモリ(UFS^[注1]4.0製品)の、性能を向上させた次世代製品を開発し、サンプル出荷を開始しました^[注2]。ハイエンド・スマートフォンをはじめとするモバイル機器などのアプリケーション向けに、データのダウンロードの高速化、タイムラグの短縮など、5Gの高速ネットワークを活用することができるように開発した製品です。次世代製品の投入によって、ユーザー体験を向上させる高性能モバイル機器の開発に貢献していきます。

新しいUFS 4.0対応製品は、当社の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH^™」とコントローラーをJEDEC規格のパッケージに収めたもので、256GB、512GB、1TBの3つの容量タイプをラインアップします。MIPI M-PHY 5.0とUniPro 2.0に対応し、理論上1レーンあたり最大23.2Gbps、デバイスあたり最大46.4Gbpsのインターフェース速度をサポートします。また、UFS 4.0は、UFS 3.1と下位互換性があります。

新製品の主な仕様：

• 当社従来製品に比べて^[注3]性能は、シーケンシャルライトライトが約18%、ランダムライトが約30%、ランダムリードが約13%それぞれ向上しています。
• High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS) をサポート：従来のUFSではデバイスとホストのLink Startup (M-PHYおよびUniProの初期化シーケンス) を低速のPWM-G1 (3~9Mbps^[注４]) で行っていましたが、HS-LSSを使用することでより高速なHS-G1 Rate A (1248Mbps) で行うことができます。これによりLink Startupにかかる時間を従来に比べて約70%短くすることが可能になります。
• セキュリティー機能の強化：RPMB（Replay Protected Memory Block）領域にあるユーザー認証情報など、セキュリティーが必要なデータへの読み書きを高速化するAdvanced RPMBや、無効化されたセキュリティーデータを安全かつ迅速に消去するRPMB Purgeをサポートします。
• Extended Initiator ID (Ext-IID) をサポート：UFS 4.0ホストコントローラーのMCQ（Multi Circular Queue）と併用し、ランダム性能を向上させることが可能です。

関連リンク：
キオクシアのUFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの製品情報
https://www.kioxia.com/ja-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

[注1]　UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
[注2]　256GB、512GBの製品のサンプル出荷を5月から開始し、1TBの製品については、10月以降に出荷を開始する予定です。なお、サンプル出荷品は量産時と仕様が異なる場合があります。
[注3]　当社の新しい512GBのUFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリと、当社の前世代512GBのUFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの製品型番「THGJFJT2T85BAT0」を比べて。
[注4]　PWM-G1の通信速度は使用する機器等の条件によって異なります。

＊本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。

＊リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。

＊社名・製品名・サービス名は、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。