-

Toshiba发布具有高速导通时间的小型光继电器,有助于缩短半导体测试仪的测试时间

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出一款采用S-VSON4T封装的光继电器“TLP3476S”,可将导通时间缩短至公司现有产品TLP3475S的一半。批量出货自即日起开始。

与Toshiba的现有产品TLP3475S相比,TLP3476S速度更快、体积更小巧。TLP3476S改善了红外LED的光输出,优化了光检测器件(光电二极管阵列)的设计,从而实现了高效的光耦合。这些优化提高了操作速度,导通时间不超过0.25ms,相比前代产品缩短50%。TLP3476S采用更小、更纤薄的S-VSON4T封装,最大厚度为1.4毫米,相比前代产品减少20%。新的封装规格有助于缩小内含多块电路板的设备的尺寸。

TLP3476S适用于半导体测试仪内的引脚电子器件,此类测试仪使用大量的继电器,需要更短的开关时间。

应用范围

  • 半导体测试仪(高速存储器测试仪、高速逻辑测试仪等)
  • 探头卡
  • 测量设备

功能特性

  • 紧凑型S-VSON4T封装:1.45mm × 2.0mm(典型),t=1.4mm(最大)
  • 高速导通时间:tON=0.25ms(最大值)

主要规格

 (@Ta=25°C)

部件编号

TLP3476S

封装

名称

S-VSON4T

尺寸(mm)

1.45 × 2.0(典型),t=1.4(最大)

绝对最大额定值

关断状态输出终端电压VOFF (V)

60

导通状态电流ION (A)

0.4

导通状态电流(脉冲)IONP (A)

1.2

工作温度Topr (°C)

-40至110

耦合电气

特性

触发LED电流IFT (mA)

最大

3.0

导通状态电阻RON (Ω)

典型

1.1

最大

1.5

电气特性

输出电容COFF (pF)

最大

20

开关特性

导通时间tON (ms)

@RL=200Ω,

VDD=20V,

IF=5mA

最大

0.25

关断时间tOFF (ms)

0.2

隔离特性

隔离电压BVS (Vrms)

最小

500

样品检测和供应

在线购买

点击以下链接了解有关新产品的更多信息。
TLP3476S

点击以下链接了解有关Toshiba隔离器/固态继电器的更多信息。
隔离器/固态继电器

如需了解在线分销商的新产品供货情况,请访问:
TLP3476S
在线购买

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本新闻稿中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息仅反映公告发布当日的情况。之后如有变更,恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球各地的2.15万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待在近8000亿日元(61亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。
如需了解更多信息,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询:
光电器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询:
光电器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba开始出货TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器工程样品,搭载用于系统控制应用的Arm® Cortex®-M4内核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器[1],这些微控制器搭载带有浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核。全新微控制器专为消费产品(如空调、洗衣机)以及工业设备(包括多功能打印机、工厂自动化系统)的小型系统控制应用而设计。Toshiba目前已开始提供这些新产品的工程样品。 随着现代消费产品和工业设备变得日益先进和多样化,用于系统控制的微控制器必须具备更强的实时处理能力与稳定性,支持简便的设计流程,提供长期运行所需的通用性,并具备足够的灵活性以支持衍生产品的开发。Toshiba已通过开发专为系统控制应用而设计的TXZ+™系列入门级M4H组微控制器来应对这些挑战,尤其注重其通用性。 这些全新微控制器被设计为入门级产品,可提供一系列基本功能。它们采用带有FPU的Arm® Cortex®-M4内核,最高工作频率达120MHz——这正是消费产品和工业设备所需的计算性能与响应...

Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(简称“Toshiba”)今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式人工智能(AI)的快速发展,电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求,Toshiba开发了TW007D120E,该产品将有助于降低功耗,并实现电源系统的小型化和更高效率。 TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1],实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻(RDS(on)A);其通过更低的导通电阻降低导通损耗,同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比,TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约5...

Toshiba开始出货内置MOSFET的全新SmartMCD™系列电机驱动集成电路样品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)已开始出货“TB9M040FTG”的工程样品,该电机控制器件内置用于驱动三相无刷直流电机的功率MOSFET。作为Toshiba的“SmartMCD™”[1]系列电机控制器件的最新成员,TB9M040FTG集成了微控制器(MCU)和电机驱动器,可直接驱动三相无刷直流电机,适用于控制汽车设备中使用的小型电机。 车辆运动部件的电气化进程不断推进,对小型三相无刷直流电机的需求也不断增长,这些电机可用于供暖、通风和空调(HVAC)系统中的电动阀门、阻尼器和导风板以及格栅百叶窗[2]等应用。这也带动了对更少组件、更小尺寸电子控制单元(ECU)器件的需求,以及对磁场定向控制(FOC)[3]支持功能和无传感器控制的需求,这些功能可确保更先进的电机控制并降低CPU负载。 TB9M040FTG集成了一个MCU(Arm® Cortex® M23内核)、闪存、可直接驱动三相无刷直流电机的电机驱动器、可用于电源的高侧驱...
Back to Newsroom