-

東芝發布150V N溝道功率MOSFET，具有業界領先的[1]低導通電阻和改進的反向恢復特性，有助於提高電源效率

original Toshiba: TPH9R00CQ5, a 150V N-channel power MOSFET that helps increase the efficiency of power supplies. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TPH9R00CQ5, a 150V N-channel power MOSFET that helps increase the efficiency of power supplies. (Graphic: Business Wire)

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會（「東芝」）推出了一款150V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5。該產品採用最新一代[2]U-MOSX-H製程，可用於工業設備開關電源，如資料中心和通訊基地台使用的電源。產品即日起開始出貨。

TPH9R00CQ5具有業界領先的[1]9.0mΩ（最大值）低漏極-源極導通電阻，與東芝現有產品TPH1500CNH1[3]相比降低了約42%。與東芝現有產品TPH9R00CQH[4]相比，反向恢復電荷降低了約74%，反向恢復[5]時間縮短了約44%，這都是同步整流應用所需的關鍵反向恢復特性。在同步整流應用[6]中，新產品可降低開關電源的功率損耗，提高效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品降低了開關期間產生的尖峰電壓，有助於減少電源的電磁干擾。
該產品採用通用的表面黏著型SOP Advance(N)封裝。

東芝還提供支援開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，能夠準確再現瞬態特性的高精密度G2 SPICE模型現在也已上市。

東芝還開發了採用新產品的「用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器」和「採用MOSFET的三相多電平逆變器」參考設計。這些設計即日起在東芝官網上線。新產品還可用於已經發布的「1 kW全橋DC-DC 轉換器」參考設計。

東芝將繼續擴大功率MOSFET產品陣容，以減少功率損耗，提高電源效率和幫助改善設備效率。

應用

  • 工業設備的電源，如用於資料中心和通訊基地台的電源。
  • 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

特性

  • 業界領先的[1]低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ（最大值）(VGS=10V)
  • 業界領先的[1]低反向恢復電荷：Qrr=34nC（典型值）(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 業界領先的[1]快速反向恢復時間：trr=40ns（典型值）(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 高結溫等級：Tch（最大值）=175°C

注釋：
[1] 截至2023年3月。與其他150V產品比較。東芝調查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用現有生成製程U-MOSVIII-H的150V產品
[4] 產品採用與TPH9R00CQ5相同的生成製程，並具有相同的電壓和導通電阻
[5] MOSFET主體二極體從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用於不進行反向恢復操作的電路，則功率損失相當於TPH9R00CQH的水準。

主要特性

（Ta=25°C，除非另有說明）

元件型號

TPH9R00CQ5

絕對

最大

額定值

漏源電壓VDSS (V)

150

漏極電流ID (A)

Tc=25°C

64

結溫Tch (°C)

175

電氣特性

漏源導通電阻

RDS(ON) 最大值(mΩ)

VGS=10V

9.0

VGS=8V

11.0

總閘電荷Qg典型值(nC)

44

閘極開關電荷QSW典型值(nC)

11.7

輸出電荷Qoss典型值(nC)

87

輸入電容Ciss典型值(pF)

3500

反向恢復時間trr典型值(ns)

-dIDR/dt=100A/μs

40

反向恢復電荷Qrr典型值(nC)

34

封裝

名稱

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

4.9 x 6.1 x 1.0

樣品查詢與庫存

線上購買

點選以下連結瞭解有關新產品的更多資訊。
TPH9R00CQ5

點選下面的連結，瞭解更多關於新產品的相關內容。
U-MOSX-H系列150V MOSFET是高效率開關電源的理想之選
透過搭載150V MOSFET的多電平逆變器來提高效率

請點選以下連結瞭解有關東芝MOSFET的更多資訊。
MOSFET

要查看線上經銷商的新產品供應情況，請造訪：
TPH9R00CQ5
線上購買

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本新聞稿中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊，在發布之日為最新資訊。之後如有變更，恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球各地的2.3萬名員工同心同德，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過8,500億日圓（75億美元）的年度銷售額基礎上再接再厲，為全人類創造更加美好的未來。
如需瞭解更多資訊，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶詢問：
功率元件銷售與行銷部
電話：+81-44-548-2216
聯絡我們

媒體詢問：
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
郵件：semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Industry:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Release Versions
EnglishChinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

客戶詢問：
功率元件銷售與行銷部
電話：+81-44-548-2216
聯絡我們

媒體詢問：
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
郵件：semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出針對工業和消費級應用的40V電子保險絲(eFuse IC)

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)為其電子保險絲(eFuse IC)產品陣容新增了40V「TCKE6系列」產品，該系列產品可支援電源線電路保護所需的多項功能。此次新增的五款產品分別為「TCKE601RA」、「TCKE601RL」、「TCKE602RM」、「TCKE603RA」和「TCKE603RL」。產品出貨自即日起開始。 新款TCKE6系列產品提供與標準實體保險絲類似的短路保護，同時還整合了限流和過電壓保護功能——這些都是實體保險絲[1]無法實現的功能，可保護電路免受過電流和過電壓損害。當電路中某一點出現過電流或過電壓情況時，這些功能能夠避免過大電流或電壓施加於後續的積體電路。這些eFuse IC還內建熱保護功能，當產生異常熱量或發生突發短路時可立即關斷，從而保護後續電路。eFuse IC的另一大優勢是簡化電路設計。透過將多種保護功能整合于單一元件，它們減少了對分立元件的需求，可實現元件數量更少、佔用空間更小的小巧型高效設計...

Toshiba推出雙通道標準數位隔離器，協助工業裝置實現穩定高速隔離資料傳輸

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")針對工業裝置推出了四款雙通道高速標準數位隔離器。全新「DCL52xx00系列」產品具備100kV/μs（典型值）[1]的高共模暫態耐受性(CMTI)和150Mbps（最大值）[2]的高速資料速率，可支援裝置穩定運行。產品出貨自即日起開始。 「DCL520C00」和「DCL520D00」採用兩個正向通道的通道設定，「DCL521C00」和「DCL521D00」則為一個正向通道和一個反向通道。這些全新雙通道產品與此前發表的「DCL54xx01系列」四通道產品共同構成針對工業裝置的標準數位隔離器產品線。隨著這些新產品的加入，Toshiba的整體產品線現已涵蓋14款產品，提供豐富的通道設定選擇，有助於提升設計靈活性。 全新DCL52xx00系列產品採用Toshiba專有的磁耦合式隔離傳輸方法，可實現與DCL54xx01系列產品相同的100kV/μs（典型值）的高CMTI。這一特性可大幅提升隔離訊號傳輸...

Toshiba推出採用最新一代製程技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業裝置開關電源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了「TPH2R70AR5」——一款採用Toshiba最新一代製程U-MOS11-H[1]製造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括資料中心和通訊基地台所用工業裝置的開關電源。產品出貨自即日起開始。 100V U-MOS11-H系列在Toshiba現有U-MOSX-H系列製程的基礎上，改進了漏源導通電阻(RDS(ON))、總閘極電荷(Qg)及二者的權衡特性(RDS(ON) × Qg)，從而降低了傳導損耗和開關損耗。 相較U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低約8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。透過應用壽命控制技術[2]，該產品還實現了高速體二極體效能，減少了反向恢復電荷(Qrr)並抑制了尖峰電壓。Qrr改善約38%，RDS(ON) × Qrr也改善約43%。這些業界領先的[3]權衡特性[4]（R...
Back to Newsroom