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東芝發布150V N溝道功率MOSFET,具有業界領先的[1]低導通電阻和改進的反向恢復特性,有助於提高電源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會(「東芝」)推出了一款150V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5。該產品採用最新一代[2]U-MOSX-H製程,可用於工業設備開關電源,如資料中心和通訊基地台使用的電源。產品即日起開始出貨。

TPH9R00CQ5具有業界領先的[1]9.0mΩ(最大值)低漏極-源極導通電阻,與東芝現有產品TPH1500CNH1[3]相比降低了約42%。與東芝現有產品TPH9R00CQH[4]相比,反向恢復電荷降低了約74%,反向恢復[5]時間縮短了約44%,這都是同步整流應用所需的關鍵反向恢復特性。在同步整流應用[6]中,新產品可降低開關電源的功率損耗,提高效率。此外,與TPH9R00CQH相比,新產品降低了開關期間產生的尖峰電壓,有助於減少電源的電磁干擾。
該產品採用通用的表面黏著型SOP Advance(N)封裝。

東芝還提供支援開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外,能夠準確再現瞬態特性的高精密度G2 SPICE模型現在也已上市。

東芝還開發了採用新產品的「用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器」和「採用MOSFET的三相多電平逆變器」參考設計。這些設計即日起在東芝官網上線。新產品還可用於已經發布的「1 kW全橋DC-DC 轉換器」參考設計。

東芝將繼續擴大功率MOSFET產品陣容,以減少功率損耗,提高電源效率和幫助改善設備效率。

應用

  • 工業設備的電源,如用於資料中心和通訊基地台的電源。
  • 開關電源(高效率DC-DC轉換器等)

特性

  • 業界領先的[1]低導通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
  • 業界領先的[1]低反向恢復電荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 業界領先的[1]快速反向恢復時間:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 高結溫等級:Tch(最大值)=175°C

注釋:
[1] 截至2023年3月。與其他150V產品比較。東芝調查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用現有生成製程U-MOSVIII-H的150V產品
[4] 產品採用與TPH9R00CQ5相同的生成製程,並具有相同的電壓和導通電阻
[5] MOSFET主體二極體從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用於不進行反向恢復操作的電路,則功率損失相當於TPH9R00CQH的水準。

主要特性

(Ta=25°C,除非另有說明)

元件型號

TPH9R00CQ5

絕對

最大

額定值

漏源電壓VDSS (V)

150

漏極電流ID (A)

Tc=25°C

64

結溫Tch (°C)

175

電氣特性

漏源導通電阻

RDS(ON) 最大值(mΩ)

VGS=10V

9.0

VGS=8V

11.0

總閘電荷Qg典型值(nC)

44

閘極開關電荷QSW典型值(nC)

11.7

輸出電荷Qoss典型值(nC)

87

輸入電容Ciss典型值(pF)

3500

反向恢復時間trr典型值(ns)

-dIDR/dt=100A/μs

40

反向恢復電荷Qrr典型值(nC)

34

封裝

名稱

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

4.9 x 6.1 x 1.0

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TPH9R00CQ5

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U-MOSX-H系列150V MOSFET是高效率開關電源的理想之選
透過搭載150V MOSFET的多電平逆變器來提高效率

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