东芝发布150V N沟道功率MOSFET，具有业界领先的[1]低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会（“东芝”）推出了一款150V N沟道功率MOSFET “TPH9R00CQ5”。该产品采用最新一代^[2]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，如数据中心和通信基站使用的电源。产品即日起开始出货。

TPH9R00CQ5具有业界领先的^[1]9.0mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1^[3]”相比降低了约42%。与东芝现有产品“TPH9R00CQH^[4]”相比，反向恢复电荷降低了约74%，反向恢复^[5]时间缩短了约44%，这都是同步整流应用所需的关键反向恢复特性。在同步整流应用^[6]中，新产品可降低开关电源的功率损耗，提高效率。此外，与TPH9R00CQH相比，新产品降低了开关期间产生的尖峰电压，有助于减少电源的电磁干扰。
该产品采用通用的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型现在也已上市。

东芝还开发了采用新产品的“用于电信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC 转换器”和“采用MOSFET的三相多电平逆变器”参考设计。这些设计即日起在东芝官网上线。新产品还可用于已经发布的“1kW全桥DC-DC 转换器”参考设计。

东芝将继续扩大功率MOSFET产品阵容，以减少功率损耗，提高电源效率和帮助改善设备效率。

应用

• 工业设备的电源，如用于数据中心和通信基站的电源。
• 开关电源（高效DC-DC转换器等）

特性

• 业界领先的^[1]低导通电阻：R_DS(ON)=9.0mΩ（最大值）(V_GS=10V)
• 业界领先的^[1]低反向恢复电荷：Q_rr=34nC（典型值）(-dI_DR/dt=100A/μs)
• 业界领先的^[1]快速反向恢复时间：t_rr=40ns（典型值）(-dI_DR/dt=100A/μs)
• 高结温等级：T_ch（最大值）=175°C

注释：
[1] 截至2023年3月。与其他150V产品比较。东芝调查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用现有生成工艺U-MOSVIII-H的150V产品
[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生成工艺，并具有相同的电压和导通电阻
[5] MOSFET主体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不进行反向恢复操作的电路，则功率损失相当于TPH9R00CQH的水平。

主要特性
（Ta=25°C，除非另有说明）
器件型号			TPH9R00CQ5
绝对 最大 额定值	漏源电压VDSS (V)		150
	漏极电流ID (A)	Tc=25°C	64
	结温Tch (°C)		175
电气特性	漏源导通电阻  RDS(ON) 最大值(mΩ)	VGS=10V	9.0
		VGS=8V	11.0
	总栅电荷Qg典型值(nC)		44
	栅极开关电荷QSW典型值(nC)		11.7
	输出电荷Qoss典型值(nC)		87
	输入电容Ciss典型值(pF)		3500
	反向恢复时间trr典型值(ns)	-dIDR/dt=100A/μs	40
	反向恢复电荷Qrr典型值(nC)		34
封装	名称		SOP Advance(N)
	尺寸典型值(mm)		4.9 x 6.1 x 1.0
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