-

東芝:エアコン、産業用機器の電源回路高効率化に貢献するディスクリートIGBT発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- (ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、エアコンや産業用機器の大型電源などに使用される力率改善(PFC)回路[注1]向けに、650V耐圧のディスクリートIGBT「GT30J65MRB」を製品化し、本日から出荷を開始します。

近年、カーボンニュートラルをはじめとする省エネルギーの取り組みの中でパワー半導体は重要なデバイスとして注目されています。特に消費電力の大きい家電、産業機器においては、エアコンのインバーター化率の増加や産業機器用大型電源の低消費電力化が進み、高効率のスイッチングデバイスの需要が拡大しており、低損失化とPFC回路でのスイッチング周波数の増加対応が求められています。

新製品 GT30J65MRBは、トレンチの微細化など内部構造を最適化した最新プロセスの採用により、業界トップクラス[注2]の低スイッチング損失(ターンオフ損失) 標準0.35mJ[注3]を実現しました。当社既存製品[注4]と比べて約42%[注5]低減しています。さらに、ダイオード順電圧を標準1.20V[注6]に抑え、当社既存製品[注4]と比べて約43%[注6]低減しています。

エアコンのPFC回路の場合、当社既存製品[注4]は40kHz[注7]程度以下の周波数で使用されています。GT30J65MRBは、スイッチング損失(ターンオフ損失)の低減により、当社PFC向けIGBTとして初めて60kHz[注7]動作も可能な製品です。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、機器の高効率化に貢献します。

[注1] PFC(power factor correction)回路:力率改善回路。スイッチング電源で発生する高調波成分を抑制するために電圧と電流の位相差を小さくして力率を1に近づける回路。
[注2] 2023年3月時点、当社調べ。
[注3] 測定条件:誘導負荷、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、RG=56Ω、Tc=175°C
[注4] 当社既存製品GT50JR22
[注5] 2023年3月時点、当社実測値。(@VCC=400V、IC=15A、VGG=+15V/0、RG=56Ω、Tc=175°C)
[注6] 測定条件:IF=15A、VGE=0V、Tc=25°C
[注7] 2023年3月時点、当社PFC評価基板による実測値。

■応用機器

・家庭用電気製品 (エアコンなど)
・産業用機器 (ファクトリーオートメーション、マルチファンクションプリンター など)

■新製品の主な特長

・最新プロセスの採用により、業界トップクラス[注2]の低スイッチング損失(ターンオフ損失): Eoff=0.35mJ[注3] (typ.)
・逆導通 (RC) 構造によるフリーホイールダイオード (FWD) 内蔵
・スイッチング時間 (降下時間) が早い : tf=40ns (typ.) @Tc=25°C、IC=15A、RG=56Ω
・ダイオード順電圧が低い : VF=1.20V (typ.) @Tc=25°C、IF=15A、VGE=0V

■新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

GT30J65MRB

パッケージ

TO-3P(N)

絶対最大定格

コレクター・エミッター間電圧 VCES (V)

650

コレクター電流 (DC) IC (A)

Tc=25°C

60

Tc=100°C

30

接合温度 Tj (°C)

175

コレクター・エミッター間飽和電圧 VCE(sat) typ. (V)

IC=30A、VGE=15V、Tc=25°C

1.40

スイッチング時間 (下降時間) tf typ. (ns)

誘導負荷、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、

RG=56Ω、Tc=25°C

40

スイッチング損失 (ターンオフ損失) Eoff typ. (mJ)

誘導負荷、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、

RG=56Ω、Tc=175°C

0.35

ダイオード順電圧 VF typ. (V)

IF=15A、VGE=0V、

Tc=25°C

1.20

接合・ケース間熱抵抗 Rth(j-c) max (°C/W)

0.75

在庫検索 & Web少量購入

Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
GT30J65MRB

当社のIGBT製品の詳細については下記ページをご覧ください。
IGBT

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
GT30J65MRB
Buy Online

※社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
※本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
E-Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
E-Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

東芝:次世代AIデータセンターの高効率化に貢献する1200Vトレンチゲート型SiC MOSFETのテストサンプル出荷開始

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、次世代AIデータセンター向け電源システムを主用途とし、併せて再生可能エネルギー関連機器への適用を想定した1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発し、テストサンプルの出荷を開始しました。 生成AIの急速な普及を背景に、データセンターでは消費電力の増大が喫緊の課題となっています。特に、高出力AIサーバーの普及や800V HVDC(High Voltage Direct Current)アーキテクチャーの採用拡大により、電源システムにはこれまで以上に高い電力変換効率と高電力密度化が求められています。TW007D120Eは、こうした次世代AIデータセンターの要求に応えるべく開発された製品であり、消費電力の低減と電源システムの小型・高効率化に貢献します。 TW007D120Eは、当社独自のトレンチゲート構造[注1]を採用することで、業界トップクラス[注2]の低い単位面積あたりのオン抵抗 (RDS(on)A) を実現しました。これにより、オン抵抗低減によ...

東芝:「SmartMCD™」シリーズでモーター駆動用MOSFETを内蔵した新製品のサンプル出荷開始について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、マイクロコントローラー(マイコン)とモータードライバーを統合した「SmartMCD™」[注1]シリーズの新製品として、三相ブラシレスDCモーター駆動用パワーMOSFETを内蔵した「TB9M040FTG」のエンジニアリングサンプル出荷を開始しました。 新製品は三相ブラシレスDCモーターを直接駆動でき、車載機器で使用される小型モーターの制御に適しています。 近年、自動車の可動部では電動化が進み、電動バルブ、HVAC[注2] (ダンパー、フラップ)、グリルシャッター[注3]などで使用される小型三相ブラシレスDCモーターの需要が増加しています。この分野では、部品点数削減やECU[注4]の小型化のため、マイコンやモータードライバーおよび電源システムなどを高密度に統合したデバイスが求められています。さらに、モーター制御の高度化やCPU負荷低減を目的として、FOC[注5]制御支援機能やセンサーレス制御へのニーズも高まっています。 新製品は、マイコン(Arm® Cortex® -M23コア)、Fl...

東芝:PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した2:1 マルチプレクサー/1:2デマルチプレクサースイッチの発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、PCIe® 6.0[注1]やUSB4® Version 2.0[注2]などの次世代高速インターフェースに対応した、2:1マルチプレクサー (Mux)/ 1:2デマルチプレクサー(De-Mux)スイッチ「TDS5C212MX」および「TDS5B212MX」 を製品化しました。本製品は、本日より出荷を開始します。 近年、サーバーや産業用テスター、ロボット、PCなどでは、PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0に代表される超高速・広帯域な差動信号を、限られた基板スペースの中で高信頼に切り替えるニーズが高まっています。新製品は、こうしたニーズに応えるため、当社独自のSOIプロセス(TarfSOI™)[注3]を採用することで、TDS5C212MXでは業界トップクラス[注4]となる-3dBバンド幅(差動)34GHz(typ.)、TDS5B212MXでは29GHz(typ.)を実現し、高速通信時の信号波形の歪みを大幅に抑制し、高速通信時の信頼性向上に貢献します。 これらの特長により...
Back to Newsroom