Kyoto Semiconductor annuncia due sensori di UV per applicazioni di rilevazione dei raggi ultravioletti profondi

I sensori di UV al GaN “KPDU086SU27-H11Q” e “KPDU086SU31-H11Q” presentano elevata sensibilità ai raggi ultravioletti profondi UV-B e UV-C

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (Presidente e Ceo: Yoshihisa Shinya; sede centrale: Fushimi-ku, città di Kyoto), leader nello sviluppo di soluzioni per dispositivi ottici basati su tecnologie avanzate e caratterizzati dalla qualità giapponese, ha annunciato due nuovi prodotti, sensori di UV al GaN: “KPDU086SU27-H11Q” e “KPDU086SU31-H11Q”.

I sensori di UV “KPDU086SU27-H11Q” e “KPDU086SU31-H11Q” sono stati sviluppati con l’obiettivo di ottenere una sensibilità superiore rispetto ai convenzionali sensori di UV al Si per rispondere alle esigenze del mercato dei dispositivi di rilevazione degli UV profondi.

Poiché i convenzionali sensori di UV al Si rilevano un’ampia gamma di lunghezze d’onda, spesso si applica un filtro per limitare la sensibilità alla gamma di lunghezze d’onda degli UV.

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